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高性能InP基量子点发光二极管（QLED）的开发已成为当前环保显示和照明技术的发展趋势。然而，与已经投入工业应用的Cd基QLED相比，InP基QLED的效率和稳定性仍然面临巨大挑战。近日，纳米光子学团队赵家龙教授研究组采用胶体NiOx和Mg掺杂NiOx纳米晶体来制备双层空穴注入层（HIL），以取代经典的PEDOT:PSS HIL来构建高性能InP基QLED

半导体二极管激光器是实用重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出

单晶硅、GaAs和InP用于太空。单晶硅、多晶硅和非晶硅用于现场大规模生产。其他项目仍在开发中

于中科院半导体所获得博士学位，曾于加州大学圣芭芭拉分校电子与计算机工程系担任项目科学家，爱尔兰都柏林大学圣三一学院物理系担任研究员。在新型半导体光电子器件和大规模半导体光电子集成领域具有20年的工作经验 ，发表学术论文100余篇，拥有7项已授权专利、10项正在申请中的专利；有良好的创业经历 主要从事半导体激光器的研究，专攻铟磷基大范围可调谐半导体激光器。共计发表国际学术论文14篇，其中期刊论文6篇，会议论文8篇，且获得两项半导体激光器技术专利授权

曾获科技奖励： 1988 年度机电部科技进步二等奖、 1989 年度国家科技进步三等奖、 1991 年度国防科工委光华科技二等奖、 1991 年度四川省首届青年科技奖、 1992 年度机电工业部优秀科技青年奖、 1995 年度北京大学安泰奖、 1998 年度教育部科技进步二等奖、 1999 年度北京大学华为奖、 1999 年国家科技进步三等奖、 2002 年北京大学 JDSU 奖、 2007 年度中国通信学会科学技术奖一等奖。 2. 国家自然科学基金重大研究计划重点项目《全光逻辑单元用 InP 基功能材料研究》 地址：北京市海淀区颐和园路5号北京大学理科2号楼（北京实验区）

毕业于美国加州大学分校，在化合物半导体光电集成和光电系统领域从事科研、研发、测试、生产工作十余年，主攻InP基的复杂光电集成芯片。 曾就职于该行业知名公司，研发了一系列世界先进的光电集成芯片。在半导体光电领域的核心期刊和重要会议OFC，ECOC，CLEO等发表文章50多篇，并担任多数行业知名期刊的审稿人

于中科院半导体所获得博士学位，曾于加州大学圣芭芭拉分校电子与计算机工程系担任项目科学家，爱尔兰都柏林大学圣三一学院物理系担任研究员。在新型半导体光电子器件和大规模半导体光电子集成领域具有20年的工作经验 ，发表学术论文100余篇，拥有7项已授权专利、10项正在申请中的专利；有良好的创业经历 主要从事半导体激光器的研究，专攻铟磷基大范围可调谐半导体激光器。共计发表国际学术论文14篇，其中期刊论文6篇，会议论文8篇，且获得两项半导体激光器技术专利授权

晶圆片是半导体晶体管或集成电路的基板。衬底材料包括硅、锗、GaAs、InP、Gan等，由于硅是最常用的材料，如果没有具体的晶体材料，通常是指硅片。它可以在硅片上加工成各种电路元件结构，成为具有特定电气功能的集成电路产品

InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料

简要描述：杭州新乔生物科技有限公司提供的水溶性InP/ZnS无镉量子点绿红光，具有粒径均一，吸收光谱宽泛，发射光谱窄而对称，荧光强度高而稳定等特点。 水溶性InP/ZnS量子点产品是以InP为核心，ZnS为壳层，表面由亲水配体包裹的核/壳型荧光纳米材料，平均的量子产率为50%，储存时应避免阳光直射，4度密封暗处保存，可以为客户订制生产520nm～750nm任一波长的产品。本产品具有粒径均一，吸收光谱宽泛，发射光谱窄而对称，荧光强度高而稳定等特点