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高性能InP基量子点发光二极管(QLED)的开发已成为当前环保显示和照明技术的发展趋势。然而,与已经投入工业应用的Cd基QLED相比,InP基QLED的效率和稳定性仍然面临巨大挑战。近日,纳米光子学团队赵家龙教授研究组采用胶体NiOx和Mg掺杂NiOx纳米晶体来制备双层空穴注入层(HIL),以取代经典的PEDOT:PSS HIL来构建高性能InP基QLED
半导体二极管激光器是实用重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出
单晶硅、GaAs和InP用于太空。单晶硅、多晶硅和非晶硅用于现场大规模生产。其他项目仍在开发中
于中科院半导体所获得博士学位,曾于加州大学圣芭芭拉分校电子与计算机工程系担任项目科学家,爱尔兰都柏林大学圣三一学院物理系担任研究员。在新型半导体光电子器件和大规模半导体光电子集成领域具有20年的工作经验 ,发表学术论文100余篇,拥有7项已授权专利、10项正在申请中的专利;有良好的创业经历 主要从事半导体激光器的研究,专攻铟磷基大范围可调谐半导体激光器。共计发表国际学术论文14篇,其中期刊论文6篇,会议论文8篇,且获得两项半导体激光器技术专利授权
曾获科技奖励: 1988 年度机电部科技进步二等奖、 1989 年度国家科技进步三等奖、 1991 年度国防科工委光华科技二等奖、 1991 年度四川省首届青年科技奖、 1992 年度机电工业部优秀科技青年奖、 1995 年度北京大学安泰奖、 1998 年度教育部科技进步二等奖、 1999 年度北京大学华为奖、 1999 年国家科技进步三等奖、 2002 年北京大学 JDSU 奖、 2007 年度中国通信学会科学技术奖一等奖。 2. 国家自然科学基金重大研究计划重点项目《全光逻辑单元用 InP 基功能材料研究》 地址:北京市海淀区颐和园路5号北京大学理科2号楼(北京实验区)
毕业于美国加州大学分校,在化合物半导体光电集成和光电系统领域从事科研、研发、测试、生产工作十余年,主攻InP基的复杂光电集成芯片。 曾就职于该行业知名公司,研发了一系列世界先进的光电集成芯片。在半导体光电领域的核心期刊和重要会议OFC,ECOC,CLEO等发表文章50多篇,并担任多数行业知名期刊的审稿人
于中科院半导体所获得博士学位,曾于加州大学圣芭芭拉分校电子与计算机工程系担任项目科学家,爱尔兰都柏林大学圣三一学院物理系担任研究员。在新型半导体光电子器件和大规模半导体光电子集成领域具有20年的工作经验 ,发表学术论文100余篇,拥有7项已授权专利、10项正在申请中的专利;有良好的创业经历 主要从事半导体激光器的研究,专攻铟磷基大范围可调谐半导体激光器。共计发表国际学术论文14篇,其中期刊论文6篇,会议论文8篇,且获得两项半导体激光器技术专利授权
晶圆片是半导体晶体管或集成电路的基板。衬底材料包括硅、锗、GaAs、InP、Gan等,由于硅是最常用的材料,如果没有具体的晶体材料,通常是指硅片。它可以在硅片上加工成各种电路元件结构,成为具有特定电气功能的集成电路产品
InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In-AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2~14μm的红外发光器件,用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In-AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2~14μm的红外发光器件,用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料
简要描述:杭州新乔生物科技有限公司提供的水溶性InP/ZnS无镉量子点绿红光,具有粒径均一,吸收光谱宽泛,发射光谱窄而对称,荧光强度高而稳定等特点。 水溶性InP/ZnS量子点产品是以InP为核心,ZnS为壳层,表面由亲水配体包裹的核/壳型荧光纳米材料,平均的量子产率为50%,储存时应避免阳光直射,4度密封暗处保存,可以为客户订制生产520nm~750nm任一波长的产品。本产品具有粒径均一,吸收光谱宽泛,发射光谱窄而对称,荧光强度高而稳定等特点