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信息保障 INAS 保护信息和数据在存储和传输过程中的完整性、可⽤性、真实性、不可否认性和保密性。以务实和具有成本效益的⽅式进行风险管理，确保利益相关方的信⼼。 解读信息保障和安全策略，并应用这些策略管理风险

霍尔效应传感器通过提供与磁通密度成正比的输出电压，为电子测量或检测磁场提供了一种方便的方法。正如其名称所暗示的那样，该设备依赖于霍尔效应。霍尔效应是当电流流动并将导体置于磁场中时，在导体片上产生的电压

【体路专讯】“2018 INAS世界室内田径锦标赛”于3月2至4日假法国勒伊谷举行，香港智障跑手庄恭源在当地时间周五（2日）出战男子400米，并喜夺一面铜牌。 今届赛事有近70名来自13个国家或地区选手参加，昨日上演的男子400米赛事，俄罗斯选手Artem Muratov以48秒97打破世界纪录赢得金牌，东道主跑手法国的Charles-Antoine Kouakou以51秒42屈居亚军，香港代表庄恭源名列季军，袋走铜牌，成绩53秒64，另一港将严钲熙取得第5名；女子方面，谢彩玉亦在400米获第5名。 资料来源：INAS

注意！油价又要变，时间→ 在2023年第二次油价调整中，油价重新下跌。这让过年之前油价终于降了一些。根据油价调整的规则，现在已经进入下一次油价调整统计中，不过由于近期国际油价的连续上涨，让油价又出现了大涨的开局

霍尔元件是利用霍尔效应工作的半导体磁电器件。早在1879年金属中就发现了霍尔效应。霍尔元件于1910年由铋制成，用来测量磁场

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InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料

教育部学术奖颁赠对象为于国内积极从事学术研究，有重要贡献或杰出成就并获得学术界肯定者；其未具中华民国国籍者，应具本国专科以上学校或学术研究机构专职五年以上年资。 张翼教授研究领域为III-V族高速高频电子元件与制程技术、GaN功率元件技术、III-V族材料磊晶技术、III-V族(GaN GaAs InAs)/硅芯片件整合技术、高频覆晶构装技术、功率元件构装技术、建教合作领域、GaN及GaAs异质界面磊晶成长技术、高功率GaN及高频率GaN元件及制程技术、GaAs及InAs高频率元件及制程技术、三五族金氧半晶体管 (MOSFET)表面处理技术。 张翼教授荣获国科会 97 年度、101 年度及104 年度“杰出研究奖”、及100 年度“杰出技术转移贡献奖”