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InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料