inas 单晶为衬底可以生长 inassb/in－aspsb

InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。

以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底 InAs 材料需要具备低的位错密度、 良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术（LEC）。