位错

铁氟龙管具有抗粘性优良，管内壁不易粘附胶体及化学品。位错的概念早是在研究晶体滑移过程时提出来的．当金属晶体受力发生塑性变形时般是通过滑移过程进行的．即晶体中相邻两部分在切应力作用下沿着―定的晶面和晶向相：对滑动，滑移的结果在晶体表面上出现明显的滑移痕迹一滑移线，为了解释此现象，根据刚性相对滑动模型，对晶体的理论抗剪强度进行了理论计算．所估算出的使完整晶体产生塑性变强度要比这个理论值低个数量级．为了解释这种差异．年和出几乎同时提出了晶体中位错的概念，他们认为晶体实际滑移过程并不是滑移面两边‘中的所有原子都同时作整体刚性滑动．而是通过在晶体存在着的称为位错的线缺陷来进行的．

苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国首家氮化镓衬底芯片供应商。 目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。 苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值

InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。 以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSbInNAsSb等异质结材料制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外 InAs 单晶具有很高的电子迁移率 是一种制作 Hall 器件的理想材料