niox

高性能InP基量子点发光二极管（QLED）的开发已成为当前环保显示和照明技术的发展趋势。然而，与已经投入工业应用的Cd基QLED相比，InP基QLED的效率和稳定性仍然面临巨大挑战。近日，纳米光子学团队赵家龙教授研究组采用胶体NiOx和Mg掺杂NiOx纳米晶体来制备双层空穴注入层（HIL），以取代经典的PEDOT:PSS HIL来构建高性能InP基QLED