高性能InP基量子点发光二极管（QLED）的开发已成为当前环保显示和照明技术的发展趋势。然而，与已经投入工业应用的Cd基QLED相比，InP基QLED的效率和稳定性仍然面临巨大挑战。近日，纳米光子学团队赵家龙教授研究组采用胶体NiOx和Mg掺杂NiOx纳米晶体来制备双层空穴注入层（HIL），以取代经典的PEDOT:PSS HIL来构建高性能InP基QLED。与PEDOT:PSS单HIL的QLED相比，双层HIL使器件的外量子效率从7.6%提高到11.2%，并且在1000 cd m-2的高亮度下，T95寿命延长了约7倍。研究发现器件性能的提高归因于双层HIL减少了空穴注入的失配势垒，并缩小了ITO/空穴传输层界面的势垒差，以促进载流子平衡注入，实现了高效辐射复合。本研究结果表明，使用具有p型NiOx的双层HIL可能是制备高性能InP基QLED的有效方法。
