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随着万物联网、5G、电动车等新时代的到来，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体，正快速崛起。 由化合物所构成的半导体材料，通常由两种以上的元素构成，依据不同的材料特性，能设计出耐高温、抗高电压、高频、抗辐射与可发光等元件产品，之后再加以开发应用在各种特定领域中。 在当前以硅基为主流的半导体产业，供应链已成熟发展，新加入者很难切入设备市场，但台湾化合物半导体生态系统还没有很完整， 正因完整度还不够，便有机会切入设备供应体系，机床暨零组件公会特别邀请工研院材化所萧达庆经理，介绍化合物半导体材料与产业跨足的契机， 地点：PMC第二办公室 工厂训练教室 (台中市南屯区工业27路17号) 主办单位：台湾机床暨零组件工业同业公会(TMBA)

随着发表会结束后，苹果除了上架了一款史上最豪华的擦拭布之外，另外，苹果还上架了一款140W USB-C电源转接器。 虽然如果使用目前 100W 充电器仍可以供电，但可能会出现电池消耗比起回电快，所以无法在电脑在使用时为电池完全充电。因此，苹果推出了 140W USB-C 电源转接器

本文将延续前文（构建地图 Occupancy Grid Mapping）的内容，补充一些前文略过的细节。 在前文中我们提到了 inverse sensor model，在此稍微讨论一下其意义。Inverse sensor model 也称为 inverse measurement model，其意义为 \(p(x|z_t)\)，也就是在给定测量结果 \(z_t\) 之下状态 \(x\) 的几率分布

电力电子电路中用作开关或整流器的功率半导体（通常是硅）器件。在集成电路中，它们也被称为功率IC。随着全球对移动电话和便携式电子设备的需求呈指数级增长，电源管理对于最大限度地延长电池寿命，以及在生产可替代能源和LED照明方面发挥作用，变得至关重要

基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等产业全链条，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域。 天狼芯是一家高性能国产功率半导体芯片设计商，是一家专注于高性能国产功率半导体芯片的Fabless（无产线芯片设计商）创业公司。其主要产品有基于第三代半导体材料GaN（氮化镓）系列和SiC（碳化硅）系列的宽禁带功率器件，以及IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 可以广泛使用在工业、 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域

英飞凌和国际整流器公司的强力整合为客户带来独特的价值。两家公司在分销实力、富有竞争力的产品、技术研发以及创新优势上都具有极佳的互补性。我们的顾客因而可以受益于以下几个方面： 国际整流器公司深谙特定客户需求并具备优秀的应用知识，必定会在英飞凌“从产品思维到系统理解”的战略中发挥重要作用

全球SiC功率元件市场2023年产值可望达22.8亿美元 据TrendForce研究统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。 新能源需求引领，第三代半导体“来势汹汹” 以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体功率器件，凭借高频高效、耐高压、耐高温等优异特性成为汽车电子的新选择 可穿戴设备结合人工智能技术进入医疗产业 本文将为您介绍结合人工智能技术的可穿戴设备的最新发展，以及由艾睿电子代理的ADI、安森美（onsemi）、村田（Murata）公司的相关解决方案 智能医疗 AIOT 未来5年，企业无线连接领域的机遇与挑战：全面解读，速来下载！

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。 半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子

博盛半导体股份有限公司成立于2012年4月，由一群超过20年经验的科技人，为人类科技生活的挑战，为创造人类美好生活的志向，携手一致努力发展高效能功率元件的IC设计公司。 消费性中低压MOSFET、工业用高压高功率IGBT、Super Junction以及先进GaN/SiC原料制成产品等，都在博盛半导体生产及研发产品范围内。 公司的产品线研发，广泛适用于消费，通讯，工业及汽车应用领域

报告内容摘要：第一、二代半导体，面临的主要困难是无法胜任高温(>200 °C)等苛刻服役条件。SiC是重要的第三代半导体代表性材料之一，与GaN并称为第三代半导体双雄，有望解决第一、二代半导体高温稳定性的瓶颈问题。本报告向大家介绍我们团队近年来在SiC低维材料领域开展的一点工作