mosfet

芯长征科技是⼀家专注于新型功率半导体器件开发的⾼科技公司核⼼业务包括IGBT单管IGBT模块 IPM模块 FRD SiC SBD Super Junction MOSFET VD MOSFET Trench MOSFET和SGT MOSFET等芯片产品的技术开发。 技术团队依托中科院技术专家以及引进优秀的海外精英共同组成团队承担过多个国家02重⼤科技专项 曾率先研制出我国首款6500V IGBT芯片先后攻克600V~6500V全电压系列芯片及⼯艺关键技术 核⼼成员均拥有10年以上的产品开发经验 实现从芯片设计、制造⼯艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通。 芯长征致⼒于打造国际领先的功率半导体器件标杆品牌 公司产品均为正向研发 拥有自主知识产权 核⼼发明专利达20余项已实现⼯业级IGBT⼤规模量产 车规级IGBT成功流片并交付测试 品质比肩国际⼤牌 与⼤洋电机进⾏战略合作 为公司提供每年数亿元的潜在订单公司拥有车规级模组封装产线同时与顶级代⼯厂建立深度合作关系锁定⼤量产能

Vishay 是世界上最大的分立半导体（二极管、MOSFET 和红外光电元件）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）制造商之一。这些元件应用于工业、电源、汽车、计算机、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场几乎全部类型的电子器件和设备中。Vishay 所具有的产品创新、成功的收购战略和“一站式”服务已使公司跻身业界的全球领导者行列

上海晶仕光半导体加工有限公司美国加州时间2021年5月25日，SEMI发布的《200mm晶圆厂展望报告》(200mm Fab Outlook Report)显示，全球半导体制造商有望从2020年到2024年将200mm晶圆厂的产能提高17％，达到每月660万个晶圆的历史新高。200mm晶圆厂设备支出在2012年至2019年徘徊在20亿至30亿美元之间，2020年突破30亿美元大关后，预计将在2021年达到近40亿美元。支出增长反映了全球半导体行业为克服当前芯片短缺问题而做出的努力

不间断电源（UPS，英文全称Uninterruptible Power System），是指利用电池化学能作为后备能量，在市电断电等电网故障时，不间断地为用户设备提供（交流）电能的一种能量转换装置。其主要应用于信息产业、IT行业、交通、金融行业、航空航天工业等计算机信息系统，同时在工业动力设备行业包括电力、钢铁、有色金属、煤炭、石油化工、建筑、医药、汽车等领域也有广泛的应用。 伴随着5G通讯，数据中心，人工智能的迅速发展以及低碳经济时代的到来，使得UPS电源数字化、高频化以及优越的功率因数指标成为主要技术发展趋势

IGBT单管是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低

产品优势：禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。 应用领域：主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。 产品特点：禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等

SJ-MOSFET拥有较小的结电容，低导通内阻，所以可以适应更高速的开关电源，提高电 源效率，降低系统成本，实现电源小型化。 SJ-MOSFET产品的高温漏电（IDSS）特性，主要与产品工艺类型有关，受产品规格、芯 片大小、工艺代数的影响相对较小。 超致半导体的SJ-MOSFET产品，与国际主流多层外延工艺产品的高温漏电特性基本一致， 而且明显低于采用Deep-Trench工艺的产品

以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售，长期致力于TVS、MOSFET、肖特基二级管、IC 电源管理等产品的研究，凭借卓越的研发手段和能力，研发出一系列业界领先的核心技术。 是国内少数具备半导体研发设计和半导体分销能力的企业，在TVS、MOSFET、肖特基二极管、电源管理IC 等多个领域位于领先地位。其自行设计生产的TVS 产品在国产手机中市场占有率约为20%

贴片电容使用的误区： 1，同样容量的电容，并联越多的小电容越好，耐压值，耐温值，容值，ESR(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于ESR自然是越低越好，ESR与电容的容量，频率，电压，温度等都有关系。 2，电容容量越大越好：很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容，我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强，且不说电容贴片电容容量的增大带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。 关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振，在谐振点，电容的阻抗小，因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好，但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，电容提供电流能力便开始下降