结电容

压敏电阻芯片20D681K 压敏电阻是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。具有体积小、通流量大、保护能力强等特点。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等

压敏电阻芯片20D681K 压敏电阻是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。具有体积小、通流量大、保护能力强等特点。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等

SJ-MOSFET拥有较小的结电容，低导通内阻，所以可以适应更高速的开关电源，提高电 源效率，降低系统成本，实现电源小型化。 SJ-MOSFET产品的高温漏电（IDSS）特性，主要与产品工艺类型有关，受产品规格、芯 片大小、工艺代数的影响相对较小。 超致半导体的SJ-MOSFET产品，与国际主流多层外延工艺产品的高温漏电特性基本一致， 而且明显低于采用Deep-Trench工艺的产品