结电容

压敏电阻芯片20D681K 压敏电阻是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。具有体积小、通流量大、保护能力强等特点。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等

压敏电阻芯片20D681K 压敏电阻是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。具有体积小、通流量大、保护能力强等特点。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等

SJ-MOSFET拥有较小的结电容，低导通内阻，所以可以适应更高速的开关电源，提高电 源效率，降低系统成本，实现电源小型化。 SJ-MOSFET产品的高温漏电（IDSS）特性，主要与产品工艺类型有关，受产品规格、芯 片大小、工艺代数的影响相对较小。 超致半导体的SJ-MOSFET产品，与国际主流多层外延工艺产品的高温漏电特性基本一致， 而且明显低于采用Deep-Trench工艺的产品

压敏电阻芯片20D681K 压敏电阻是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。具有体积小、通流量大、保护能力强等特点。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等

变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。 其实我们可以把它看成一个PN结，我们想，如果在PN结上加一个反向电压V（变容二极管是反向来用的），则N型半导体内的电子被引向正极，P型半导体内的空穴被引向负极，然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层，该耗尽层的宽度我们设为d，随着反向电压V的变化而变化

压敏电阻是以氧化锌为主要原料制造的半导体陶瓷元件，其电阻值随施加电压的变化而呈非线性变化。具有体积小、通流量大、保护能力强等特点。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等

"基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率；DFN超薄外形封装，可应用于小体积PD快速充电器。 " 反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源，mos导通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流，相反，当mos关断时，输出变压器释放能量，磁能转化为电能，输出回路有电流。反激电路元器件少，电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路