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泰科天润半导体科技（北京）有限公司(Global Power Technology)是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内，园区环境优雅

随着移动通信网络业务向数据化、分组化方向发展，移动通信基站的发展趋势也必然是宽带化、大覆盖面建设及IP化。市场对于基站电源的应用需求也是逐渐提高，其中，通信功率转换系统的性能改善源于高压 MOSFET 导通电阻的降低，为了可实现当前高要求的均衡型能效目标，市场也在不断追求性能更加优异的MOSFET。 我们推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。 基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平

SJ-MOSFET拥有较小的结电容，低导通内阻，所以可以适应更高速的开关电源，提高电 源效率，降低系统成本，实现电源小型化。 SJ-MOSFET产品的高温漏电（IDSS）特性，主要与产品工艺类型有关，受产品规格、芯 片大小、工艺代数的影响相对较小。 超致半导体的SJ-MOSFET产品，与国际主流多层外延工艺产品的高温漏电特性基本一致， 而且明显低于采用Deep-Trench工艺的产品

大数据和物联网数据成为智能时代的下一场大革命，除了网络连接设备和用户自主行为的数据计算外，很多企业开始研发自动化的计算流程，帮助用户管理网络连接、设备和应用程序，以便达到更加高效的工作方式。在安森美半导体推出了更高密度计算的产品，解决了云和5G计算的需求，受到很多追捧！ 网络通信、数据通信和工业电源正推动功率密度增加，而这正是云和5G计算所需。碳化硅（SiC）二极管用于功率因数校正（PFC）级，而氮化镓（GaN）/ SiC FET 也正在成为图腾柱和LLC级的选项

英诺赛科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海归团队发起，并集合了数十名国内外精英联合创办的第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。公司一期项目坐落于珠海市国家级高新区，并已建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件，产品设计及性能均达到国际先进水平

新华丝路莫斯科1月28日电（记者安晓萌）俄罗斯国家技术集团日前披露，今年将在首都莫斯科启动建设一个工业园，用于生产飞机和直升机发动机部件。 项目投资总额约为350亿卢布（约合34亿元人民币），预计将成为莫斯科最大工业设施之一，创造1.3万个工作岗位。 俄罗斯《消息报》援引消息人士的话报道，园区占地面积超过7.7万平方米，包括4座工业设施