SJ-MOSFET拥有较小的结电容，低导通内阻，所以可以适应更高速的开关电源，提高电 源效率，降低系统成本，实现电源小型化。

SJ-MOSFET产品的高温漏电（IDSS）特性，主要与产品工艺类型有关，受产品规格、芯 片大小、工艺代数的影响相对较小。

超致半导体的SJ-MOSFET产品，与国际主流多层外延工艺产品的高温漏电特性基本一致， 而且明显低于采用Deep-Trench工艺的产品。

高温漏电特性的良好表现，有助于超致半导体的SJ-MOSFET产品在长时间工作条件下， 保证可靠性和稳定性。

超致SJ-MOSFET拥有比较全的型号，电压等级覆盖500V，600V，650V，700V，800V，900V；

超致SJ-MOSFET拥有比较全的型号，电压等级覆盖500V，600V，650V，700V，80

品。后续还会开发更多规格的产品。

超致产品从消费类到工业类都有广泛的应用，例如LED照明，各种中小功率充电器，