耗尽层

P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。 以N－n同型单异质结激光器能带为例，当两种半导体材料紧密接触时形成异质结时，由于禁带宽度大的N型半导体的费米能级比禁带宽度小的高，所以电子将从前者向后者流动。结果在禁带宽度小的N型半导体一边形成了电子的积累层，而另外—边形成了耗尽层

变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。 其实我们可以把它看成一个PN结，我们想，如果在PN结上加一个反向电压V（变容二极管是反向来用的），则N型半导体内的电子被引向正极，P型半导体内的空穴被引向负极，然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层，该耗尽层的宽度我们设为d，随着反向电压V的变化而变化

双极晶体管的集电极端和发射极端能否互换？ 不能。晶体管在正确连接的情况下方能实现**性能。将集电极端和发射极端互换不仅会降低晶体管的性能，而且还可能永久损坏器件