耗尽层

P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。 以N－n同型单异质结激光器能带为例，当两种半导体材料紧密接触时形成异质结时，由于禁带宽度大的N型半导体的费米能级比禁带宽度小的高，所以电子将从前者向后者流动。结果在禁带宽度小的N型半导体一边形成了电子的积累层，而另外—边形成了耗尽层