vceo

描述：晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN 双极数字晶体管 (BRT) 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件

双极晶体管的集电极端和发射极端能否互换？ 不能。晶体管在正确连接的情况下方能实现**性能。将集电极端和发射极端互换不仅会降低晶体管的性能，而且还可能永久损坏器件