描述：晶体管类型：1个npn-预偏置 功率pd：200mw

描述：晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN 双极数字晶体管 (BRT) 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

描述：晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：246mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN 双极数字晶体管 (BRT) 此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。