transistor

1931年生，史丹佛大学（Stanford University）电机工程博士。曾任美国德州仪器公司（Texas Instruments）全球半导体集团总经理及总公司资深副总裁。1985年来台，1986年创办台积电

IGBT单管是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收。中芯国际中芯国际昨日披露了2019年第四季度财报。在财报中，中芯国际联合首席执行官，赵海军和梁孟松披露，第一代Fi 2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收

1931年生，史丹佛大学（Stanford University）电机工程博士。曾任美国德州仪器公司（Texas Instruments）全球半导体集团总经理及总公司资深副总裁。1985年来台，1986年创办台积电