transistor

基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等产业全链条，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域。 天狼芯是一家高性能国产功率半导体芯片设计商，是一家专注于高性能国产功率半导体芯片的Fabless（无产线芯片设计商）创业公司。其主要产品有基于第三代半导体材料GaN（氮化镓）系列和SiC（碳化硅）系列的宽禁带功率器件，以及IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 可以广泛使用在工业、 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域

1931年生，史丹佛大学（Stanford University）电机工程博士。曾任美国德州仪器公司（Texas Instruments）全球半导体集团总经理及总公司资深副总裁。1985年来台，1986年创办台积电

初中物理就学习过物质有三态：固态、液态和气态。其实所谓的三态只是大致的区分，有些物质的固态可以再被细分出不同性质的状态。同样，液体也同样可具有不同的“态”，其中分子排列具有方向性的液体我们就称之为“液态晶体”，简称“液晶”

斑马网8月5日消息，根据最新的传言，《最终幻想16》将有某种程度上的PS5独占。 ResetERA论坛用户Navtra最近称《最终幻想16》正在开发中，原计划在今年6月的PS5“游戏的未来”发布会上公布，但这名玩家表示自己也不清楚为何没有公布。他还表示这款游戏显然要比我们预想地来地更快，将有某种程度的PS5独占

本文摘要：12月17日讯巴尔达诺在昨天晚上的《El Transistor》综艺节目中再一次谈起了洛佩特吉一段时间的皇马执教职业生涯，强调洛佩特吉侵及于球员们世界杯赛后疲倦的身体情况，而且他获得的时间也过短。“洛佩特吉的皇马要想在高些的方向向输掉施压，要想去执政者赛事。洛佩特吉是球员们那时候 很差的身体情况的受害人，他被给予的时间也过度较少

2022年8月29-30日，世界卫生组织在瑞士日内瓦召开了研讨会，邀请了数十名该领域专家共同探讨应对未来病原体流行的科学策略 (Scientific strategies from recent outbreaks to help us prepare for Pathogen X) 。魏大程老师在线参加会议并受邀做了专题报告 "Transistor Sensors for Rapid COVID-19 Testing"，介绍了课题组在新冠病毒快速检测领域的研究进展，展望了晶体管技术平台在未来病原体检测中的应用。该技术得到了与会专家关注

德米萨CRM系统助力深圳市维攀微电子拉开管理变革的新序幕，通过德米萨公司工作人员专业、仔细的线上远程讲解，深圳市维攀微的领导对德米萨的CRM系统颇为满意，同时上海德米萨信息科技有限公司是自主的企业管理软件厂商，拥有过高灵活度的操作流程与设置，深受深圳市维攀微领导的广泛好评，目前项目已顺利实施。该系统功能包括：CRM管理、销售管理、采购管理、财务管理、售后管理、人事管理、办公管理、信息中心、通讯管理以及系统管理。 WPMTEK组建于2007年，是一家以自主设计研发、生产与销售为一体的半导体器件创新型企业

环境光传感器（英语：Ambient Light Sensor）是一种组件，普遍用于手机，平板电脑，笔记本电脑等电子移动设备。甚至用于汽车，液晶电视等日常生活当中，环境光传感器的国际单位是勒克斯。 当室内的灯光暗淡下来，眼睛瞳孔会放大

德国英飞凌/欧派克IGBT模块BSM50GB120DLC；变频器IGBT逆变功率模块BSM50GB120DLC IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。 就全控性能而言，IGBT是斩波应用的器件，而且技术极为简单，几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。但是要把IGBT斩波形成产品，问题就没有那么简单，特别是大功率斩波，如果不面对现实，认真研究、发现和解决存在的问题，必将事与愿违，斩波设备的可靠性将遭受严重的破坏

IGBT单管是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小