达林顿

电压-电流转换模块由精密运放与三个晶体管组成的达林顿管电路构成。转换电路利用晶体管平坦的输出特性和深度负反馈电路使输出电流稳定，如图2所示，此V/I转换电路的带负载能力强，电流输出范围达0"3A。输出电流Io经反馈电阻RF得到一个反馈电压Vf，Vf=V11-V12，通过R5、R6加到运算放大器的两输入端，设运放两端的电为V1、V2，Vi由单片机DAC输出

本设计主要想通过对乐谱进行特定协议的编码，或者通过耳机线向机器人播放音乐，使FPGA控制的机器人可以完成相应音符的解码过程，从而控制机械结构，完成拉二胡的基本过程，演奏出一首曲子。该机器人设计主要由两部分组成： 机械部分：该部分主要负责二胡弓的拉动内外弦的选择和内外弦的按动。通过步进电机带动齿轮齿条进行弓的移动，通过控制步进电机的速度来控制机器人拉动弓的速度；通过控制固定在拉弓位置上的舵机转动的角度从而控制内外弦的选择；通过控制在内外弦相应位置的直流贯穿式电磁铁拉动细线来模拟人手指的按动

史蒂芬斯先生（安东尼·霍普金斯 Anthony Hopkins饰）是一个忠实的仆人，他曾经当过英国著名爵侯的管家。目前正一心一意打理新主人达林顿勋爵的公馆，成为这里的大管家。 这里来了一个女管家基顿（艾玛·汤普森 Emma Thompson饰），她精明能干，操持起家务来比史蒂芬斯更灵活，起初斯蒂芬斯常常与她有些小矛盾

德国英飞凌/欧派克IGBT模块BSM50GB120DLC；变频器IGBT逆变功率模块BSM50GB120DLC IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。 就全控性能而言，IGBT是斩波应用的器件，而且技术极为简单，几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。但是要把IGBT斩波形成产品，问题就没有那么简单，特别是大功率斩波，如果不面对现实，认真研究、发现和解决存在的问题，必将事与愿违，斩波设备的可靠性将遭受严重的破坏

电压-电流转换模块由精密运放与三个晶体管组成的达林顿管电路构成。转换电路利用晶体管平坦的输出特性和深度负反馈电路使输出电流稳定，如图2所示，此V/I转换电路的带负载能力强，电流输出范围达0"3A。输出电流Io经反馈电阻RF得到一个反馈电压Vf，Vf=V11-V12，通过R5、R6加到运算放大器的两输入端，设运放两端的电为V1、V2，Vi由单片机DAC输出

在微波系统中， 往往需将一路微波功率按比例分成几路， 这就是功率分配问题。实现这一功能的元件称为功率分配元器件即耦合器， 主要包括： 定向耦合器、 功率分配器以及各种微波分支器件。 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件

深圳市兰科半导体科技有限公司（简称兰科半导体）是一家专业从事高性能模拟集成电路设计、销售的国家高新技术企业，产品涵盖TVS/ESD防浪涌保护器件、电源LDO芯片、电机驱动芯片、达林顿驱动芯片、485通讯数据传输以及高性能运算放大器等多个门类，广泛应用于移动通讯、物联网、汽车电子、可穿戴设备、仪器仪表、安防监控、智能家电等领域。兰科半导体专注于模拟基础性器件的开发，迅速成长为业界优秀的半导体企业，被公认为半导体行业最具创新和发展潜力的公司之一。 兰科半导体与兰州大学物理科学与技术学院、西安微电子技术研究院（西安771研究所）等院所建立了长期稳定的战略合作关系，积极探索专业人才培养和可靠的管理体系建设，目前已经组建了一支由国内外顶尖半导体专业专家团队为核心的技术开发团队，打造拥有自主知识产权的核心技术，在SIC二极管及SIC MOS领域取得了显著的成绩

KODENSHI集团于1972年在日本成立，可天士是KODENSHI集团旗下系列公司之一。可天士致力于中国市场，继承集团产品的高品质、高信赖性的基因，用高品质产品和高端的技术服务于大中国区客户。可天士依托日本和韩国集团公司的产品技术优势，整合日韩公司的人才与设备资源，结合中国本土的研发、生产、销售能力，以及中国巨大市场环境，正逐步成长为中国光电半导体行业中的知名企业

(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管因此可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中

德国英飞凌/欧派克IGBT斩波模块BSM75GB120DN2；变频器IGBT逆变功率模块BSM75GB120DN2 IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。 就全控性能而言，IGBT是斩波应用的器件，而且技术极为简单，几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。但是要把IGBT斩波形成产品，问题就没有那么简单，特别是大功率斩波，如果不面对现实，认真研究、发现和解决存在的问题，必将事与愿违，斩波设备的可靠性将遭受严重的破坏