mosfet

无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司，其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。 公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销，如功率MOSFET IGBT肖特基二极管，快恢复整流二极管和集成电路从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验

图1是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图所示。 从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结

日本川崎-东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今天宣布，将在位于日本西部兵库县的姬路半导体厂新建功率半导体后端生产设施。新设施将于2024年6月开工兴建，计划于2025年春季投产。该计划将使东芝姬路厂的汽车功率半导体产能相比2022会计年度增加一倍以上

英飞凌龙8国际-登录的功率龙8国际-登录可驱动家用电器、电扇、水泵和通用型驱动器等应用中的电机。英飞凌的IPM智能功率龙8国际-登录能效高，集成了新的功率半导体和控制芯片技术，并运用了英飞凌先进的 IGBT、 MOSFET、新一代 驱动和新的散热技术。通过提高功率密度、增强系统耐用性和可靠性，该系列龙8国际-登录有效提升了系统性能和能效

电力电子技术发展至今已经有数十年之久，能源转换效率不断提升，特别是功率金氧半场效晶体管 (Power MOSFET) 及绝缘式闸极双极性晶体管 (Insulated Gated Bipolar Transistor; IGBT) 的发展，其中以 EV / HEV 车用成长趋势最为显著，在工业设备、轨道车辆及电源供应器等领域也都有增加的趋势。高功率模组由于应用环境严苛，模组封装的可靠度问题非常严重，而影响可靠度的主要原因之一即来自热的问题。而 MicReD 的 Power Tester 是针对高功率半导体元件，可以同时整合 Rth 与 Power cycling 的量测设备

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。 基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平

光伏逆变器、不间断电源和储能等应用可选用这款SiC MOSFET 简介：全球首款 TOLL 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET，满足对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求，比 D2PAK 封装的PCB 面积节省30%，体积小 60%，并显著增强性能和减少损耗，满足最具挑战性的能效标准的设计，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效标准。 我同意接收来自安森美的新闻和其他信息，允许安森美存储及处理我的个人信息并与我联系。个人信息包括但不限于姓名、手机及电子邮件

在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势

IGBT单管是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

简介：本白皮书介绍安森美(onsemi)的M1 1200 V SiC MOSFET的关键静态特性和动态特性，及在应用设计中如何配合使用其独特的SiC门极驱动器NCP51705，以最少的外部器件实现极高的能效和可靠性。 我同意接收来自安森美的新闻和其他信息，允许安森美存储及处理我的个人信息并与我联系。个人信息包括但不限于姓名、手机及电子邮件