势垒

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

肖特基二极管与一般的二极管有什么区别？ 二极管电路出现故障时，可以用肖特基二极管替换吗？肖特基二极管与一般二极管有什么区别呢？ 二极管电路出现故障时，可以用肖特基二极管替换吗?肖特基二极管与一般二极管有什么区别呢? 肖特基二极管与一般二极管一样，都是单向导电，反向截止，可用于整流电路中。一般的二极管用于低频电路中整流，肖特基二极管用于高频电路中。 肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件

夏建白，半导体物理专家。1939年生于上海，原籍江苏苏州。1965年北京大学物理系研究生毕业

公司地址： 广东省 深圳市 福田区 华强北街道 振中路鼎城国际大厦605 肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有式和对管（双二极管）式两种封装形式

2013年当选中国科学院院士。 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员。1973年毕业于吉林大学半导体系，1982年获该校硕士学位

TTL集成电路肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式

砷化镓（GaAs）是由化学元素周期表中Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一种新型半导体材料。它的特性与周期表中Ⅳ族元素硅类似，但重要的差别之一是，GaAs的电子迁移率比硅约大5~10倍。用GaAs制造有源器件时，具有比硅器件快得多的转换速度（例如在截止、饱和导通间变化）

肖特基二极管有哪些优点及缺点? 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管

肖特基二极管具有良好的反向恢复特性，但是其击穿电压较低；传统PIN二极管具有较高的击穿电压，但其反向恢复特性差。因此，将两者优点结合的MPS二极管应运而生，其结构示意图如图1所示： 图1 MPS二极管结构示意图由图1可知，MPS二极管的阳极由肖特基结和PN结所组成，其中肖特基宽度较窄。正向导通时，由于肖特基结势垒较低，正向电流首先从肖特基势垒流入，之后P+区逐渐向基区注入空穴以产生电导调制效应以降低基区电阻从而降低正向导通压降

5月8日，我所分子反应动力学国家重点实验室杨学明院士和南方科技大学杨天罡博士应邀在《科学》（Science）发表评述文章，讨论趋近绝对零度的原子与分子碰撞过程中量子散射共振研究的进展。 众所周知，原子与分子的碰撞传能以及化学反应过程是受量子力学的规则控制的。理解量子效应在原子与分子碰撞中的作用是理解能量传递以及化学反应过程的根本