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上面讲到，MOS晶体管的类型根据导电载流子的不同，可分为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。每种沟道的MOS晶体管的类型又可根据不同的工作方式，再分为增强型和耗尽型两种。因此，MOS晶体管的类型共有四种类型，现将它们的情况归纳于表1-1之中

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

三峡水电站，即长江三峡水利枢纽工程，又称三峡工程。中国湖北省宜昌市境内的长江西陵峡段与下游的葛洲坝水电站构成梯级电站。三峡水电站是世界上规模最大的水电站，也是中国有史以来建设最大型的工程项目

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

晶体管中与直流工作状态有关的渡越时间(1.3.1节)是一个电子越过沟道长度所需的平均时间： 由于在前一节中已算出了反型层电荷，故现在是对四种感兴趣的情况计算τ的合适时机。在下一节中我们将要用到τ。 注意，在上述三种情况下，渡越时间正比于L的平方

砷化镓（GaAs）是由化学元素周期表中Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一种新型半导体材料。它的特性与周期表中Ⅳ族元素硅类似，但重要的差别之一是，GaAs的电子迁移率比硅约大5~10倍。用GaAs制造有源器件时，具有比硅器件快得多的转换速度（例如在截止、饱和导通间变化）

P型MOSFET和N型MOSFET的结构如下图所示： 从这两张图的对比可知，对于P型MOSFET，其寄生体二极管的阳极与漏极相连，阴极与源极相连；而对于N型MOSFET，其寄生体二极管的阳极与源极相连，阴极与漏极相连。P型MOSFET和N型MOSFET的体二极管的阴阳极连接刚好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET，虽然从外观上无法区分，但是用万用表测试其寄生体二极管的阴阳极与漏源极的连接关系，便可区分开来

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类