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这是“常断”的一种fet,即在0栅偏压时是不导电的器件
这是“常断”的一种FET,即在0栅偏压时是不导电的器件,也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管,即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般,MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件
p型mosfet和n型mosfet的结构如下图所示:
从这两
P型MOSFET和N型MOSFET的结构如下图所示: 从这两张图的对比可知,对于P型MOSFET,其寄生体二极管的阳极与漏极相连,阴极与源极相连;而对于N型MOSFET,其寄生体二极管的阳极与源极相连,阴极与漏极相连。P型MOSFET和N型MOSFET的体二极管的阴阳极连接刚好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET,虽然从外观上无法区分,但是用万用表测试其寄生体二极管的阴阳极与漏源极的连接关系,便可区分开来