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这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

晶体管中与直流工作状态有关的渡越时间(1.3.1节)是一个电子越过沟道长度所需的平均时间： 由于在前一节中已算出了反型层电荷，故现在是对四种感兴趣的情况计算τ的合适时机。在下一节中我们将要用到τ。 注意，在上述三种情况下，渡越时间正比于L的平方

P型MOSFET和N型MOSFET的结构如下图所示： 从这两张图的对比可知，对于P型MOSFET，其寄生体二极管的阳极与漏极相连，阴极与源极相连；而对于N型MOSFET，其寄生体二极管的阳极与源极相连，阴极与漏极相连。P型MOSFET和N型MOSFET的体二极管的阴阳极连接刚好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET，虽然从外观上无法区分，但是用万用表测试其寄生体二极管的阴阳极与漏源极的连接关系，便可区分开来

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类