上面讲到，MOS晶体管的类型根据导电载流子的不同，可分为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。每种沟道的MOS晶体管的类型又可根据不同的工作方式，再分为增强型和耗尽型两种。因此，MOS晶体管的类型共有四种类型，现将它们的情况归纳于表1-1之中。
为了清楚起见，将它们的转移特性曲线及常用符号，归纳在图1-8中，以便大家比较。
符号中的源与漏之间的破折线，表示在VGS=0时，漏源之间不存在导电沟道，为增强型器件；实线表示在Voas-0时，漏源之间已经存在导电沟道，为耗尽型器件。图中箭头方向从衬底指向沟道的，表示N型沟道；箭头方向从沟道指向衬底的，表示P型沟道。