沟道

沟道及坡面治理工程的生态安全保障技术集成与综合示范（2017YFC0504705） 1）沟道-坡面综合治理工程的生态安全保障技术体系集成； 2）基于生态安全的沟道-坡面治理工程规划设计与施工技术； 3）沟道-坡面综合治理工程的生态安全保障技术试验示范； 取得成果： 形成了沟道-坡面综合治理工程的生态安全保障技术集成体系，构建了沟道-坡面-坝系综合治理工程模式；依据综合治理工程模式，编制了延安市羊圈沟沟道及坡面治理工程关键技术示范方案，形成了羊圈沟沟道及坡面治理工程需求程度评价技术，完成了羊圈沟示范区的整体工程规划设计；在关键技术示范方案的指导下，完成了汇集项目8项研究技术成果的羊圈沟示范区的工程建设；该项工程将为黄土丘陵沟壑区生态环境修复及安全保障提供示范。

ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入

上面讲到，MOS晶体管的类型根据导电载流子的不同，可分为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。每种沟道的MOS晶体管的类型又可根据不同的工作方式，再分为增强型和耗尽型两种。因此，MOS晶体管的类型共有四种类型，现将它们的情况归纳于表1-1之中

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

晶体管中与直流工作状态有关的渡越时间(1.3.1节)是一个电子越过沟道长度所需的平均时间： 由于在前一节中已算出了反型层电荷，故现在是对四种感兴趣的情况计算τ的合适时机。在下一节中我们将要用到τ。 注意，在上述三种情况下，渡越时间正比于L的平方

砷化镓（GaAs）是由化学元素周期表中Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一种新型半导体材料。它的特性与周期表中Ⅳ族元素硅类似，但重要的差别之一是，GaAs的电子迁移率比硅约大5~10倍。用GaAs制造有源器件时，具有比硅器件快得多的转换速度（例如在截止、饱和导通间变化）