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砷化镓（GaAs）是由化学元素周期表中Ⅲ族元素镓和Ⅴ族元素砷二者组成的单晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一种新型半导体材料。它的特性与周期表中Ⅳ族元素硅类似，但重要的差别之一是，GaAs的电子迁移率比硅约大5~10倍。用GaAs制造有源器件时，具有比硅器件快得多的转换速度（例如在截止、饱和导通间变化）

热导系统测试仪是一套自动测量系统，用来测量那些电子封装材料和多种柔性的，坚硬的，半固状的和粘稠状的材料热阻抗和热导率需要测量的样品被夹在两个平行执行热传导的平面中间，一端是被加热的，另一端是被冷却的，这样可以迫使可测量的热量通过样品 热阻测试仪主要用于测试二极管，三极管，线形调压器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET IlGBT，IC等分立功率器件的热阻测试及分析。 Phascl2 热阻测试仪主要用于测试二极管，三极管，线形调压器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET IlGBT，IC等分立功率器件的热阻测试及分析。

高速Cache存储器是开发高速计算机的一个关键部件。国际上大力开展各种中等容量超高速SRAM的研究开发工作，其中GaAs SRAM倍受重视，正是因为GaAs器件具有超高速性能。 用GaAs MESFET E/D电路可以方便地组成SRAM的单元及外围电路