高速Cache存储器是开发高速计算机的一个关键部件。国际上大力开展各种中等容量超高速SRAM的研究开发工作，其中GaAs SRAM倍受重视，正是因为GaAs器件具有超高速性能。
用GaAs MESFET E/D电路可以方便地组成SRAM的单元及外围电路。图7.9为一种16K SRAM的局部电路。
单元电路与一般E/D MOS SRAM六管单元相类似。译码器出于速度优化的考虑采用多级译码形式。E MESFET的开启电压为0.1V；D MESFET的开启电压为-0.4V；电源电压VDD为1V。此电路的地址取数时间tAC为7ns，工作功耗为1W。采用双层金属布线与1μm工艺，栅材料为WSi2。