势垒

当光照射到一个洁净的金属或半导体材料表面上时入射光的频率v超过某一值时就有明显的电子发射出。逸出的电子称为光电子。每个光量子具有能量hv其中h是普朗克常数v是光的频率

近日，国家自然科学基金委员会信息科学部组织专家组在北京召开了重大项目中期评估会，对中国科学院微电子研究所主持的重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”进行了中期检查。专家组听取了项目负责人、微电子所所长叶甜春研究员所作的项目总体执行情况汇报以及三个子课题的执行情况汇报，并进行了质询和讨论。 该项目围绕GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科学和技术问题开展工作，对GaN基毫米波器件制备和材料生长中的关键科学问题、GaN基功率器件可靠性关键科学问题、GaN基毫米波功率器件与材料的新结构三个方面进行了深入和系统研究

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

印刷透明顶部电极是全溶液法制备半透明钙钛矿或有机薄膜光伏电池的重要环节，其基础问题包括溶剂的影响、电极成膜规律、以及界面能级变化。自2015年本团队首次报道喷墨打印银纳米线作为有机光伏的顶电极以来，我们取得了一系列研究进展：一方面对喷墨印刷和超声喷涂的银纳米线进行研究，逐步改善顶部电极的透明度和导电性；另一方面，通过在器件顶部溶液法制备的聚合物或氧化物注入层有效降低了电极的能级势垒。目前采用印刷顶部电极的钙钛矿光伏器件已经获得了最高超过14%的转化效率

2013年当选中国科学院院士。 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员。1973年毕业于吉林大学半导体系，1982年获该校硕士学位

为了更方便地使用 ROHM 网站，请更新您的浏览器。 如果将二极管中的电流比作水流，则阳极在上游侧，阴极在下游侧。水从上游流向下游，但不会从下游流向上游…

著名期刊《科学》10日刊发中国地质大学(武汉)科研团队学术论文，宣布通过半导体异质界面电子态特性，把质子局限在异质界面，设计和构造了具有低迁移势垒的质子通道。 这是记者10日从中国地质大学(武汉)获悉的，该校材料与化学学院吴艳副教授是论文第一作者，据她介绍，燃料电池的洁净、高效、无污染特点越来越受关注，燃料电池技术也是国家能源发展战略的一个重点领域，高离子电导率的电解质开发，是解决目前燃料电池应用的关键。 中国地质大学(武汉)燃料电池创新研究团队，一直致力于低温、高性能燃料电池研究，聚焦高质子电导率电解质的开发，历经多年探索，经过反复试验论证，通过半导体异质界面电子态特性，把质子局域于异质界面，设计和构造具有低迁移势垒的质子通道

摘 要： BaTiO3基陶瓷正温度系数（positive temperature coefficient，PTC）热敏电阻是一种重要的功能器件，其主要性能参数为室温电阻率、升阻比和居里温度。通过论述BaTiO3基陶瓷近年来的研究历史、现状和最新进展发现，通过施主掺杂改变能级结构是实现晶粒半导化、降低室温电阻率的主要途径；利用晶界受主状态形成可控晶界势垒是调控PTC效应的重要手段；采用高温铁电型温度移动剂是调节BaTiO3基陶瓷PTC居里温度的有效技术方向。同时展望了PTC材料与器件在多重敏感功能性和新型PTC物理机制等方面的发展方向及应用前景

肖特基与快恢复二极管哪一个恢复时间更短? 肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低