势垒

氧化石墨烯环境下C-S-H生成分子动力学研究( ) 目的 研究氧化石墨烯(GO)对水化硅酸钙(C-S-H)早期生长的影响机理比较有无GO环境下C-S-H的结构差异。方法b采用反应分子动力学利用氧化硅溶胶凝胶合成过程的硅链结构聚合反应模拟在4 nm GO纳米狭缝中C-S-H的生成过程分析体系内C-S-H结构演变、径向分布函数、化学组分及Qn单元的分布。结果 GO体系内钙、硅离子分布出现富集区硅原子与桥位氧原子键连单元比例增加Q3、Q4等高聚合度单元数量大幅提高

传感器电路的噪声及干扰来源决定传感器设计的成功与否！传感器设计的成功与否与干扰设计是分不开的。传感器电路很容易接收到外界或内部一些无规则的噪声或干扰信号，包括以下几点： 低频噪声主要是由于内部的导电微粒不连续造成的。特别是碳膜电阻，其碳质材料内部存在许多微小颗粒，颗粒之间是不连续的，在电流流过时，会使电阻的导电率发生变化引起电流的变化，产生类似接触不良的闪爆电弧

PN结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放出去

在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。这是因为，为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题，需要高效率高性能的功率元器件

传感器电路的噪声及干扰来源决定传感器设计的成功与否！传感器设计的成功与否与干扰设计是分不开的。传感器电路很容易接收到外界或内部一些无规则的噪声或干扰信号，包括以下几点： 低频噪声主要是由于内部的导电微粒不连续造成的。特别是碳膜电阻，其碳质材料内部存在许多微小颗粒，颗粒之间是不连续的，在电流流过时，会使电阻的导电率发生变化引起电流的变化，产生类似接触不良的闪爆电弧