氧化石墨烯环境下C-S-H生成分子动力学研究( )
目的 研究氧化石墨烯(GO)对水化硅酸钙(C-S-H)早期生长的影响机理比较有无GO环境下C-S-H的结构差异。方法b采用反应分子动力学利用氧化硅溶胶凝胶合成过程的硅链结构聚合反应模拟在4 nm GO纳米狭缝中C-S-H的生成过程分析体系内C-S-H结构演变、径向分布函数、化学组分及Qn单元的分布。结果 GO体系内钙、硅离子分布出现富集区硅原子与桥位氧原子键连单元比例增加Q3、Q4等高聚合度单元数量大幅提高。结论 GO的位阻效应以及含氧基团的离子吸附作用降低了C-S-H的聚合势垒提高了C-S-H的聚合度。