基区
内部结构条件:
1.发射极的掺杂浓度高
内部结构条件: 1.发射极的掺杂浓度高,因此有足够的载流子用于"发射". 2.为了减少载流子在基极区域中的复合机会,基极区做得很薄,通常为几微米,并且掺杂浓度极低。 3.集电极区域体积大,为了平顺利收集边缘载流子,掺杂浓度在发射极和基极之间。 外部条件: 1.发射极结必须"正向偏置"以促进发射极区域中电子的扩散
内部结构条件: 1.发射极的掺杂浓度高,因此有足够的载流子用于"发射". 2.为了减少载流子在基极区域中的复合机会,基极区做得很薄,通常为几微米,并且掺杂浓度极低。 3.集电极区域体积大,为了平顺利收集边缘载流子,掺杂浓度在发射极和基极之间。 外部条件: 1.发射极结必须"正向偏置"以促进发射极区域中电子的扩散