反向恢复

肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。 近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。因此IGBT的测试就变的尤为重要

产品优势：禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。 应用领域：主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。 产品特点：禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结

肖特基二极管的两个常见问答有哪些? 肖特基二极管的两个常见问答有哪些?从事电子元器件行业的朋友都知道，肖特基二极管的应用是非常广泛的，市场占有率也极高。广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。今天我们一起来看看肖特基二极管的两个常见问答： 一：肖特基二极管和三极管区别

快恢复二极管，它是一种具有开关特性好、反向恢复时间短的二极管，与普通二极管一样具有单向导电性，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，主要作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 而肖特基二极管，它不是利用PN结原理制作的，它是以金属为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的一种半导体器件，是一种热载流子二极管，肖特基二极管在电路中主要是作整流二极管、续流二极管、保护二极管等，主要用在低电压、大电流的电路中，如开关电源、变频器、逆变器、微波通信。 1、快恢复二极管的反向恢复时间为几百纳秒，而肖特基二极管比它快，甚至几纳秒； 2、快恢复二极管的反向击穿电压高，一般都高于200V，甚至几千伏，而肖特基二极管的反向击穿电压很低，普遍在100以下，有些会高一点； 3、快恢复二极管的功耗较大，而肖特基二极管反向恢复时间短、损耗小、噪声低

在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势

大、小电流肖特基二极管有哪些作用? 随着大电流肖特基二极管在电源领域的卓越表现。在电路设计中，越来越重要。我们可以预测，将来的电源产品必向高节能，低温差发展

产品优势：禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。 应用领域：主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。 产品特点：禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等