反向恢复
肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低
肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低
IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。 近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。因此IGBT的测试就变的尤为重要
可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结
肖特基二极管的两个常见问答有哪些? 肖特基二极管的两个常见问答有哪些?从事电子元器件行业的朋友都知道，肖特基二极管的应用是非常广泛的，市场占有率也极高。广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。今天我们一起来看看肖特基二极管的两个常见问答： 一：肖特基二极管和三极管区别
肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低
可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结
肖特基与快恢复二极管哪一个恢复时间更短? 肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低
IGBT模块中的并联FRD，是一个非常重要的元件，但往往容易被忽视。其工作时的风险主要体现在以下两个方面： 1、IGBT 出现短路或者故障时，IGBT驱动器可以帮忙保护，但FRD芯片损坏时，没有其他的防护手段； 2、在IGBT 开通的时刻，实际上是FRD关断的时刻。所有的功率半导体，包括IGBT 芯片和FRD芯片，在关断时刻面临的风险远大于其开通时面临的风险； FRD参数测量电路中，测试电路与双脉冲测试相同，具体探头连接及计算如下： 1、将电流探头加在上管IGBT的集电极； 2、将电压探头加在上管 IGBT的C-E极间； 3、将检测电压及电流的瞬时值的积做为一个函数，即可计算得出二极管的瞬时功率； 4、FRD只有在IGBT第二次开通的时候才会有反向恢复行为，用示波器捕捉波形时应注意时间选择
在外部参数发生变化时，二极管的风险也在发生变化，在此，我 们举个参数， 1. 结温， 2. 续流电流的大小， 3. 母线电压的高低 A. 当结温越低，二极管的速度越快，反向恢复电流后沿也越陡 峭，产生的电压尖峰也越高，情况越恶劣； B. 二极管关断大约10%的额定电流时，其关断时的功率会出现最 其关断时的功率会出现最 高峰，关断 1倍额定电流时，功率次之，关断 2倍额定电流时 ，功率再次之；也就是说，电流越小，情况越恶劣； C. 母线电压越高，情况越恶劣； 在IGBT开通时，Ic开始增长，而此时上管 IGBT的续流二极管处于反向恢复，该二极管 没有阻断能力，上管Uce=0。 在 I 开始增长时 杂散电感上感应的电压的是与母线电压相反的，所以 此时在下管的Vce上测得的波形出现了一个缺口这个缺口 电压产生的原因是杂散电感抵消了一部分母 线电压。也就是说，缺口的电压是杂散电感 上的感应电压