产品优势：禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。

应用领域：主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

产品特点：禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等。

产品特点：碳化硅肖特基二极管相比普通的PN结势垒二极管具有导通压降低，开关速度快、0反向恢复、耐高温的优点。

应用领域：碳化硅肖特基二极管可应用于光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。

产品特点：碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。

应用领域：SiC MOSFET可应用于开关电源、光伏逆变器、充电桩充电模块、新能源汽车OBC、DC/DC等。

产品特点：全碳化硅功率模块与传统硅基IGBT相比，全碳化硅模块具有更高的功率密度、更快的工作频率，开关损耗可降低70%以上。

应用领域：全碳化硅功率模块可应用于轨道交通逆变牵引、新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、ups电源、智能电网等。

产品特点：混合碳化硅功率模块与传统硅模块相比，碳化硅混合模块具有更高的功率密度、更低的开关损耗以及更快的工作频率。

应用领域：混合碳化硅功率模块可应用于光伏发电、新能源汽车、轨道交通、不间断电源、智能电网等。