反向恢复

肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结

肖特基与快恢复二极管哪一个恢复时间更短? 肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。 二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低

肖特基二极管与一般的二极管有什么区别？ 二极管电路出现故障时，可以用肖特基二极管替换吗？肖特基二极管与一般二极管有什么区别呢？ 二极管电路出现故障时，可以用肖特基二极管替换吗?肖特基二极管与一般二极管有什么区别呢? 肖特基二极管与一般二极管一样，都是单向导电，反向截止，可用于整流电路中。一般的二极管用于低频电路中整流，肖特基二极管用于高频电路中。 肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件

TTL集成电路肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式

肖特基二极管具有良好的反向恢复特性，但是其击穿电压较低；传统PIN二极管具有较高的击穿电压，但其反向恢复特性差。因此，将两者优点结合的MPS二极管应运而生，其结构示意图如图1所示： 图1 MPS二极管结构示意图由图1可知，MPS二极管的阳极由肖特基结和PN结所组成，其中肖特基宽度较窄。正向导通时，由于肖特基结势垒较低，正向电流首先从肖特基势垒流入，之后P+区逐渐向基区注入空穴以产生电导调制效应以降低基区电阻从而降低正向导通压降

IGBT模块中的并联FRD，是一个非常重要的元件，但往往容易被忽视。其工作时的风险主要体现在以下两个方面： 1、IGBT 出现短路或者故障时，IGBT驱动器可以帮忙保护，但FRD芯片损坏时，没有其他的防护手段； 2、在IGBT 开通的时刻，实际上是FRD关断的时刻。所有的功率半导体，包括IGBT 芯片和FRD芯片，在关断时刻面临的风险远大于其开通时面临的风险； FRD参数测量电路中，测试电路与双脉冲测试相同，具体探头连接及计算如下： 1、将电流探头加在上管IGBT的集电极； 2、将电压探头加在上管 IGBT的C-E极间； 3、将检测电压及电流的瞬时值的积做为一个函数，即可计算得出二极管的瞬时功率； 4、FRD只有在IGBT第二次开通的时候才会有反向恢复行为，用示波器捕捉波形时应注意时间选择

在外部参数发生变化时，二极管的风险也在发生变化，在此，我 们举个参数， 1. 结温， 2. 续流电流的大小， 3. 母线电压的高低 A. 当结温越低，二极管的速度越快，反向恢复电流后沿也越陡 峭，产生的电压尖峰也越高，情况越恶劣； B. 二极管关断大约10%的额定电流时，其关断时的功率会出现最 其关断时的功率会出现最 高峰，关断 1倍额定电流时，功率次之，关断 2倍额定电流时 ，功率再次之；也就是说，电流越小，情况越恶劣； C. 母线电压越高，情况越恶劣； 在IGBT开通时，Ic开始增长，而此时上管 IGBT的续流二极管处于反向恢复，该二极管 没有阻断能力，上管Uce=0。 在 I 开始增长时 杂散电感上感应的电压的是与母线电压相反的，所以 此时在下管的Vce上测得的波形出现了一个缺口这个缺口 电压产生的原因是杂散电感抵消了一部分母 线电压。也就是说，缺口的电压是杂散电感 上的感应电压