在外部参数发生变化时，二极管的风险也在发生变化，在此，我 们举个参数， 1. 结温， 2. 续流电流的大小， 3. 母线电压的高低 A. 当结温越低，二极管的速度越快，反向恢复电流后沿也越陡 峭，产生的电压尖峰也越高，情况越恶劣； B. 二极管关断大约10%的额定电流时，其关断时的功率会出现最 其关断时的功率会出现最 高峰，关断 1倍额定电流时，功率次之，关断 2倍额定电流时 ，功率再次之；也就是说，电流越小，情况越恶劣； C. 母线电压越高，情况越恶劣；
在IGBT开通时，Ic开始增长，而此时上管 IGBT的续流二极管处于反向恢复，该二极管 没有阻断能力，上管Uce=0。 在 I 开始增长时 杂散电感上感应的电压的是与母线电压相反的，所以 此时在下管的Vce上测得的波形出现了一个缺口这个缺口 电压产生的原因是杂散电感抵消了一部分母 线电压。也就是说，缺口的电压是杂散电感 上的感应电压。
从示波器上读出Us，再读出di/dt，代进上式， 就能算出杂散电感Ls的数值。 这个模型是比较准确的 因此得出的数据比较可靠。