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Everspin Technologies Inc.于2008年5月16日在美国特拉华州注册成立。该公司是MRAM解决方案的领先供应商。该公司的MRAM解决方案提供的是一种持久型、非易失性的内存存储器，即使在断电的情况下，它也会依靠速度和随机存取存储器（RAM）的耐力保存信息，使关键任务数据得到保护，尤其是在电源中断或故障的情况下

Everspin Technologies Inc.于2008年5月16日在美国特拉华州注册成立。该公司是MRAM解决方案的领先供应商。该公司的MRAM解决方案提供的是一种持久型、非易失性的内存存储器，即使在断电的情况下，它也会依靠速度和随机存取存储器（RAM）的耐力保存信息，使关键任务数据得到保护，尤其是在电源中断或故障的情况下

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流 外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶

据国外媒体报道，韩国芯片巨头海力士半导体周三称，它已经同意与日本东芝公司联合开发和生产下一代内存芯片。 海力士在声明中称，根据这个合作协议，海力士和东芝将联合开磁阻式随机存取存储器（MRAM）。与现有的内存芯片相比，MRAM内存将提高速度和效率

微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。刘明院士团队设计了一种基于NbOx的高性能选通器件，通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入，实现了高开态电流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲劳特性(>1012)

1月13日讯，据 techpowerup 报道，三星电子今日正式公布了世界首款搭载 MRAM 内存的电脑，相关论文发表在《Nature》网站，并即将在杂志上发表。论文题目为《用于内存内计算电脑的磁阻存储器件交叉阵列》，相关电脑可以用于 AI 运算。 这项技术是三星 SAIT 研究院与三星电子代工业务和半导体研发中心共同开发的，论文第一作者是 Seungchul Jung 博士

华尔街日报2015年7月14日报导，中国大陆清华紫光集团将以每股21美元收购美国内存大厂美光(Micron)，总计 230 亿美元，若成真，将成为中国对美国企业的最大收购案。 公司市值来看，清华紫光集团约 470 亿人民币 (约 76 亿美元)，如欲用 230 亿美元购买美光，除非有其他基金或是集团介入，以致市场传出中国大基金可能融资给紫光。 从营收表现来看，2012年美光来自中国大陆营收金额约29.4亿美元，占其营收比重35.7%

三、非专属授权厂商资格：依国家法令组织登记成立且从事研发、设计、制造或销售之公司法人。 （一）举办时间：民国（下同）108年3月22日上午11时至12时。 （二）举办地点：新竹县竹东镇中兴路四段195号51馆108室