mram
Everspin Technologies Inc.于2008年5月16日在美国特拉华州注册成立。该公司是MRAM解决方案的领先供应商。该公司的MRAM解决方案提供的是一种持久型、非易失性的内存存储器，即使在断电的情况下，它也会依靠速度和随机存取存储器（RAM）的耐力保存信息，使关键任务数据得到保护，尤其是在电源中断或故障的情况下
集团旗下上海集成电路研发中心有限公司（ICRD）成立于2002年，是国家支持组建、产学研合作的国家级集成电路研发中心。 上海集成电路研发中心聚焦集成电路主流技术路线，致力于解决重大共性技术的研发及服务支撑问题，并为自主可控产业链建设提供公共的装备和材料验证平台。ICRD掌握了多个技术代的工艺技术和知识产权，为中国集成电路生产线的建设提供了多套技术转移和服务；通过设立产业界共性技术研发项目，进行FinFET器件及工艺、FDSOI关键工艺、5nm以下纳米线晶体管等新器件和工艺技术的联合研发；开展产学研合作，研发STT-MRAM、晶体管级3D堆叠、量子点传感器、类神经元晶体管等前沿技术和产品；通过以先进工艺带动装备和材料研发评价的方式，为国产光刻机、刻蚀机、铜互连、光刻胶、大硅片等装备和材料提供全方位验证和工艺配套，推动供应链的国产化
Avalanche Technology总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，利用300mm标准CMOS工艺制造的垂直磁隧道结（pMTJ）单元结构，是自旋传递扭矩磁性RAM（STT-MRAM）非易失性存储器的全球领导者。在MRAM的支持下，在单元，电路和系统设计方面获得了300多项专利授权，我们的技术和产品提供了突破性的速度，无限的耐用性和非易失性，同时降低了功耗和成本。凭借这些特性，我们的技术将替代分离式SRAM，非易失性SRAM，NOR和DRAM，并超越客户的目标，成为嵌入式应用中SRAM，eFlash和ROM的替代产品
Everspin Technologies Inc.于2008年5月16日在美国特拉华州注册成立。该公司是MRAM解决方案的领先供应商。该公司的MRAM解决方案提供的是一种持久型、非易失性的内存存储器，即使在断电的情况下，它也会依靠速度和随机存取存储器（RAM）的耐力保存信息，使关键任务数据得到保护，尤其是在电源中断或故障的情况下
Everspin Technologies Inc.于2008年5月16日在美国特拉华州注册成立。该公司是MRAM解决方案的领先供应商。该公司的MRAM解决方案提供的是一种持久型、非易失性的内存存储器，即使在断电的情况下，它也会依靠速度和随机存取存储器（RAM）的耐力保存信息，使关键任务数据得到保护，尤其是在电源中断或故障的情况下
针对未来的高容量/记忆单元密度所需的微缩尺寸磁性内存单元进行研究。并发展相关所需的制程技术及改善磁性内存的磁性薄膜材料与结构。 ‧ 自旋磁性内存，磁阻变化率(MR Ratio)≧40%；等效阻值(RA)≦20 Ω-μm^2；MTJ元件短边≦0.1μm； 临界写入电流密度(Jco)≦3E6A/cm^2 工研院电光所自2000年深次微米计划完成阶段性任务后，即积极寻找具市场潜力之前瞻技术题目，于2002年选择新世代非挥发性记亿体投入前瞻研究，MRAM为其中一个题目，因MRAM技术符合我国业界需求，于2003年启动关键计划，同时也与业界开始MRAM合作计划，在计划期间陆续产出多项突破创新之技术，并获国际肯定，获刊于电子领域最著名之期刊 ( 2篇IEDM，3篇ITC )，并于2006年启动第二代MRAM (Spin-RAM ) 之构想可性前瞻技术，仅花费一年的期间利用元件结构设计将写入电流密度从20 MA/cm2降至2 MA/cm2，降幅达10倍，逼近国际水准(国际领先指标为1MA/cm2)
随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流 外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶
据国外媒体报道，韩国芯片巨头海力士半导体周三称，它已经同意与日本东芝公司联合开发和生产下一代内存芯片。 海力士在声明中称，根据这个合作协议，海力士和东芝将联合开磁阻式随机存取存储器（MRAM）。与现有的内存芯片相比，MRAM内存将提高速度和效率
微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。刘明院士团队设计了一种基于NbOx的高性能选通器件，通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入，实现了高开态电流密度（4.8MA/cm2）、高操作速度（10ns）、高疲劳特性(>1012)
1月13日讯，据 techpowerup 报道，三星电子今日正式公布了世界首款搭载 MRAM 内存的电脑，相关论文发表在《Nature》网站，并即将在杂志上发表。论文题目为《用于内存内计算电脑的磁阻存储器件交叉阵列》，相关电脑可以用于 AI 运算。 这项技术是三星 SAIT 研究院与三星电子代工业务和半导体研发中心共同开发的，论文第一作者是 Seungchul Jung 博士