随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流

外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶。

MCU未来最大的市场在于‘智慧’二字，例如‘智慧工厂’‘智慧设施’‘智慧家庭’，未来会真正实现智慧生活，一通百通。安全是MCU在智慧领域发展的重要基础。智慧市场的形成，必定会产生

英特尔显示了2MB STT-MRAM阵列的L4缓存级应用程序性能和可靠性。这要求在工业操作温度范围内具有高密度，高带宽和高耐久性。表I中所显示STT-MRAM的L4高速缓存应用程序所需的规范。

各MCU厂对物联网市场的MCU均会提供Linux RTOS或其它开放来源操作系统、驱动程序、Firmware但开发策略有许多差异。