3e6a

针对未来的高容量/记忆单元密度所需的微缩尺寸磁性内存单元进行研究。并发展相关所需的制程技术及改善磁性内存的磁性薄膜材料与结构。 ‧ 自旋磁性内存，磁阻变化率(MR Ratio)≧40%；等效阻值(RA)≦20 Ω-μm^2；MTJ元件短边≦0.1μm； 临界写入电流密度(Jco)≦3E6A/cm^2 工研院电光所自2000年深次微米计划完成阶段性任务后，即积极寻找具市场潜力之前瞻技术题目，于2002年选择新世代非挥发性记亿体投入前瞻研究，MRAM为其中一个题目，因MRAM技术符合我国业界需求，于2003年启动关键计划，同时也与业界开始MRAM合作计划，在计划期间陆续产出多项突破创新之技术，并获国际肯定，获刊于电子领域最著名之期刊 ( 2篇IEDM，3篇ITC )，并于2006年启动第二代MRAM (Spin-RAM ) 之构想可性前瞻技术，仅花费一年的期间利用元件结构设计将写入电流密度从20 MA/cm2降至2 MA/cm2，降幅达10倍，逼近国际水准(国际领先指标为1MA/cm2)