Avalanche Technology总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，利用300mm标准CMOS工艺制造的垂直磁隧道结（pMTJ）单元结构，是自旋传递扭矩磁性RAM（STT-MRAM）非易失性存储器的全球领导者。在MRAM的支持下，在单元，电路和系统设计方面获得了300多项专利授权，我们的技术和产品提供了突破性的速度，无限的耐用性和非易失性，同时降低了功耗和成本。凭借这些特性，我们的技术将替代分离式SRAM，非易失性SRAM，NOR和DRAM，并超越客户的目标，成为嵌入式应用中SRAM，eFlash和ROM的替代产品。