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华虹半导体有限公司今日宣布，最新推出90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间

Avalanche Technology总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，利用300mm标准CMOS工艺制造的垂直磁隧道结（pMTJ）单元结构，是自旋传递扭矩磁性RAM（STT-MRAM）非易失性存储器的全球领导者。在MRAM的支持下，在单元，电路和系统设计方面获得了300多项专利授权，我们的技术和产品提供了突破性的速度，无限的耐用性和非易失性，同时降低了功耗和成本。凭借这些特性，我们的技术将替代分离式SRAM，非易失性SRAM，NOR和DRAM，并超越客户的目标，成为嵌入式应用中SRAM，eFlash和ROM的替代产品