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华虹半导体有限公司今日宣布，最新推出90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间

尽管NVIDIA CEO黄仁勋已经悲观方言，摩尔定律已死，但对于台积电、三星和Intel三大晶圆厂来说，他们在纳米尺度的芯片微缩步伐尚未停歇。 日前，三星在修订的路线图中首次公布了1.4nm工艺节点，并计划2027投产。 与此同时，三星也决定在2025年投产2nm工艺，大致和台积电同步