阈值电压
9月7日,大连理工大学教授王德君做客微电子所青促会“芯文化”
9月7日,大连理工大学教授王德君做客微电子所青促会“芯文化”论坛之“青年沙龙”并作精彩报告。本次报告会为线上视频会议。微电子所职工、研究生及大连理工大学部分学生共40余人在线上远程参会
这是“常断”的一种fet,即在0栅偏压时是不导电的器件
这是“常断”的一种FET,即在0栅偏压时是不导电的器件,也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管,即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般,MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件