尊敬的读者、作者、审稿人 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究

在商用0.35 m互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor 简记为NMOS) 晶体管 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管 通过环栅或半环栅的加固方式 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因.

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

摘要: 在商用0.35 m互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor 简记为NMOS) 晶体管 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管 通过环栅或半环栅的加固方式 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因.