简记
尊敬的读者、作者、审稿人 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究 在商用0.35 m互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor 简记为NMOS) 晶体管 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管 通过环栅或半环栅的加固方式 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 摘要: 在商用0.35 m互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor 简记为NMOS) 晶体管 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管 通过环栅或半环栅的加固方式 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因.
金华erp系统软件:筹资活动产的现金流量有哪些内容? 现金流量表是财务报表三大报表之一,企业月末季末都需要将发生的费用制作成报表。现金流量表是大企业必须要做的一报表,那么下面是筹资活动产生的现金流量的相关内容,同金华erp系统软件一起来看看吧。 (3)收到的其他与筹资活动有关的现金; (2)分配股利、度利润或偿付利息所支付的现金, (3)支付的其他与筹资活动有关的现金
面对日趋激烈的全球化市场竞争,中国企业在经济增长方式上正在实现由粗放经营向集约经营的转变。在这个转变过程中,MRPII/ERP是很好的工具。 在50年代中期,计算机的商业化应用对企业管理产生了深远的影响
电离能(Ionization energy),或称游离能、电离焓,常简记为EI,指的是将一个电子自一个孤立的原子、离子或分子移至无限远处所需的能量。更广义的用法,第一电离能定义为气态原子失去一个电子成为一价气态正离子所需的最低能量,记作I1;气态一价正离子失去一个电子成为气态二价正离子所需的能量称为第二电离能,记作I2。依此类推
