但由于第四季市场需求持续疲弱

但由于第四季市场需求持续疲弱，美光 16 日再宣布计划进一步缩减资本支出，且将减产 2 成。

美光并预期，明年 DRAM 位元供给增幅将由原估的增加 5% 转为负成长，NAND 则由原预期的成长 28%，转为减少 1-3%。

从今年第二季各内存厂市占率来看，美光 NAND Flash 市占率约 12%、DRAM 约 24%；铠侠 NAND Flash 市占率约 15%。随着下半年内存市况急遽恶化，NAND Flash 价格几乎跌破或逼近现金成本价，NAND 厂陆续减产或放缓投资，将加快市场走向供需平衡，有助价格提前落底。

群联也认为，随着 NAND 价格逼近成本价，第四季原厂没有太大跌价空间，加上减产效益带动，价格跌幅将持续收敛，市况已近底部，当手机厂预期第一季 NAND 可能不会再跌价，就可望开始规划、讨论明年需求。