by Dayking
KIOXIA 铠侠 (前身为 TOSHIBA) 宣布投入研发 HLC NAND Flash 颗粒，相比目前的 QLC NAND Flash 颗粒，其存储密度将提升 50%，同时堆叠层数也会提升至 600~1000 层，虽然预估量产后 PE 寿命将不到 100 次，但由于存储容量会相当大，这意味着使用一段时间后才会写满一次 SSD。
随着 NAND Flash 的演进，现在 SLC、MLC 颗粒已基本上消失在家用 SSD 产品中，目前是由 TLC 与 QLC 为主流，并且开始向着 PLC 前进，所谓的 PLC 就是每 Cell 存储 5 bits，要储存更多的资料就需要更多的电压层级。
虽然技术难度非常高，但 HLC 的存储密度比 QLC 要高出 50%，对于厂商们来说是非常吸引，不仅每 GB 成本会进一步下降，同时而意味储存容量会大幅提升。
HLC NAND Flash 的 PE 寿命将不到 100 次，但由于堆叠层数会大幅增加到 600 至 1000 层，HLC NAND Flash 存储容量会相当大，意味着要使用一段时间，才会写满一次 SSD，能放入更多的 Cold Data。
Dayking
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