nand

美国存储器制造商美光（Micron）充分利用了34nm的工艺技术，日前针对企业级应用推出了MLC (multi-level cell)和SLC (single-level cell) NAND闪存新品。相比标准的芯片来看，32Gb MLC NAND（30000写入周期）闪存和16Gb SLC NAND（300000写入周期）闪存分别是它们的6倍和3倍。 而且美光这两款企业级的NAND 闪存芯片都兼容ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.1规格，既是支持其传输速度达200 MB/s和多die封装等技术

ICinsights 报告指出，NAND 内存制造商资本支出远超过产能成长的需求，整体市况呈现供过于求，价格展望看跌。 五大 NAND 内存业者预期未来几年出货平均将成长 40%，报告以此做假设，估计 2018 年整体产业资本支出需 220 亿美元，但实际支出达 310 亿美元，超额投资 90 亿美元。 NAND 内存业者去年已多投入 60 亿美元扩充产能，今年超额投资情形更加严重，历史经验显示资本支出增加太多将导致产能过剩，会对报价形成下行压力

8 月刚刚结束，据市场调查机构 DRAMeXchange 针对 NAND Flash 8 月下旬合约价格走势统计指出，由于客户为新产品上市库存需要进行补货，令 8 月下旬 NAND Flash 合约价格停止跌势，并预期 9 月份合约价可望回温，但记忆卡及 UFD 通路市场的需求仍然相对疲软。 就短期 NAND Flash 价格走势而言，虽然今年第 3 季备货需求比较往年略为减弱，但市场预期下游客户在库存水位下降后，将在 9 到 10 月开始回补感恩节及圣诞节销售旺季的库存所需，令 NAND Flash 价格可望因年终旺季的备货需求回温获得止稳的助力，但由于目前第 4 季需求的订单能见度仍然不高，后续的 NAND Flash 价格的支撑力道仍须视年终销售旺季期间的实际状况而定。 DRAMeXchange 也补充指出，若 2012 年上半年全球经济复苏状况及终端应用产品需求不如预期，将有可能造成价格下跌过剧，因此不少 NAND Flash 供应商已已有应变的减产方案，透过调降产能利用率或移转部分产能去生产非内存 IC 的产品等，进而纾缓供过于求的市况，令 NAND Flash 市场保持稳定

三星于2014年8月对外首次发表每个记忆单元皆可储存3位元数据的3D或V-NAND（Vertical NAND）型闪存，如此三星宣布其已经开始量产这款3D NAND型闪存． 由于之前3位元（3-bit）技术仅用于平面NAND型闪存，如今为了扩大市场影响力而使用于3D NAND型闪存。而且新款3位元MLC（Multi-level-cell）3D芯片是采用第二代V-NAND技术，让垂直堆叠可达32层，整合程度比起先前24层芯片高出30%。 传统NAND型闪存是把晶体管依照X、Y轴进行水平排列，因此2000年中期以来，NAND型闪存的制程从40奈米一路微缩至16奈米

【TechWeb】1月29日消息，据国外媒体报道，业务涵盖消费电子及面板、存储芯片等的三星电子，多项业务在全球的份额高于其他厂商，在DRAM和NAND闪存方面的份额，就明显高于其他厂商。 而在最新的报道中，外媒还披露，在DRAM市场，三星电子的份额已连续30年位居全球第一，在NAND闪存市场已连续20年居首。 外媒在报道中还提到，在去年三季度，三星电子在全球DRAM市场的份额高达40.6%，在NAND闪存市场的份额也高达31.6%，市场份额较第二大厂商均高出超过10个百分点

美光232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和 PC 上的响应式沉浸式体验。 该技术节点能够引入业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。该速度比美光 176 层节点上启用的最快接口快 50%

(1)当X=0、Y=0时，将使两个NAND门之输出均为1，违反触发器之功用，故禁止使用。如真值表第一列。 (2)当X=0、Y=1时，由于X=1导致NAND-A的输出为”1”，使得NAND-B的两个输入均为”1”，因此NAND-B的输出为”0”，如真值表第二列

各大厂商争相量产3D NAND 三星计划在今年提升64层3D NAND产品的比重，并计划在年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。 三星的这一系列举动也许将彻底使NAND Flash高层堆叠市场战争爆发，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度简直无法想象。 美光推进64层3D NAND进程非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND

by Dayking KIOXIA 铠侠 (前身为 TOSHIBA) 宣布投入研发 HLC NAND Flash 颗粒，相比目前的 QLC NAND Flash 颗粒，其存储密度将提升 50%，同时堆叠层数也会提升至 600~1000 层，虽然预估量产后 PE 寿命将不到 100 次，但由于存储容量会相当大，这意味着使用一段时间后才会写满一次 SSD。 随着 NAND Flash 的演进，现在 SLC、MLC 颗粒已基本上消失在家用 SSD 产品中，目前是由 TLC 与 QLC 为主流，并且开始向着 PLC 前进，所谓的 PLC 就是每 Cell 存储 5 bits，要储存更多的资料就需要更多的电压层级。 虽然技术难度非常高，但 HLC 的存储密度比 QLC 要高出 50%，对于厂商们来说是非常吸引，不仅每 GB 成本会进一步下降，同时而意味储存容量会大幅提升

该芯片基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆叠技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。 CuA 设计加上 232 层 NAND，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸，这有望降低生产成本，使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。 谈到固态硬盘，美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司已经与内部和第三方 NAND 控制器（用于固态硬盘和其他基于 NAND 的存储设备）的开发者密切合作，以实现对新型内存的支持

2月25日消息，据国外媒体报道，NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长，整体行业的营收也有提升。 从外媒的报道来看，NAND闪存去年第四季度的出货量，较第三季度增长了近10%，NAND闪存行业的收入则是环比增长约8.5%，达到了125.5亿美元。 外媒在报道中表示，NAND闪存去年第四季度的出货量和收入环比增长近10%，主要是由于数据中心的需求增加，芯片供应商也得以将库存降至正常水平

但由于第四季市场需求持续疲弱，美光 16 日再宣布计划进一步缩减资本支出，且将减产 2 成。 美光并预期，明年 DRAM 位元供给增幅将由原估的增加 5% 转为负成长，NAND 则由原预期的成长 28%，转为减少 1-3%。 从今年第二季各内存厂市占率来看，美光 NAND Flash 市占率约 12%、DRAM 约 24%；铠侠 NAND Flash 市占率约 15%