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美国存储器制造商美光（Micron）充分利用了34nm的工艺技术，日前针对企业级应用推出了MLC (multi-level cell)和SLC (single-level cell) NAND闪存新品。相比标准的芯片来看，32Gb MLC NAND（30000写入周期）闪存和16Gb SLC NAND（300000写入周期）闪存分别是它们的6倍和3倍。 而且美光这两款企业级的NAND 闪存芯片都兼容ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.1规格，既是支持其传输速度达200 MB/s和多die封装等技术

三星于2014年8月对外首次发表每个记忆单元皆可储存3位元数据的3D或V-NAND（Vertical NAND）型闪存，如此三星宣布其已经开始量产这款3D NAND型闪存． 由于之前3位元（3-bit）技术仅用于平面NAND型闪存，如今为了扩大市场影响力而使用于3D NAND型闪存。而且新款3位元MLC（Multi-level-cell）3D芯片是采用第二代V-NAND技术，让垂直堆叠可达32层，整合程度比起先前24层芯片高出30%。 传统NAND型闪存是把晶体管依照X、Y轴进行水平排列，因此2000年中期以来，NAND型闪存的制程从40奈米一路微缩至16奈米

美光232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和 PC 上的响应式沉浸式体验。 该技术节点能够引入业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。该速度比美光 176 层节点上启用的最快接口快 50%

各大厂商争相量产3D NAND 三星计划在今年提升64层3D NAND产品的比重，并计划在年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。 三星的这一系列举动也许将彻底使NAND Flash高层堆叠市场战争爆发，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度简直无法想象。 美光推进64层3D NAND进程非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND

2月25日消息，据国外媒体报道，NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长，整体行业的营收也有提升。 从外媒的报道来看，NAND闪存去年第四季度的出货量，较第三季度增长了近10%，NAND闪存行业的收入则是环比增长约8.5%，达到了125.5亿美元。 外媒在报道中表示，NAND闪存去年第四季度的出货量和收入环比增长近10%，主要是由于数据中心的需求增加，芯片供应商也得以将库存降至正常水平

但由于第四季市场需求持续疲弱，美光 16 日再宣布计划进一步缩减资本支出，且将减产 2 成。 美光并预期，明年 DRAM 位元供给增幅将由原估的增加 5% 转为负成长，NAND 则由原预期的成长 28%，转为减少 1-3%。 从今年第二季各内存厂市占率来看，美光 NAND Flash 市占率约 12%、DRAM 约 24%；铠侠 NAND Flash 市占率约 15%