场效应

施加到MOSFET衬底上的电压对于器件的漏源I-V特性影响很大。从这点意义上来，衬底可以当作控制漏-源电导的第二个栅极。但是，衬底偏压对于I-V曲线的影响程度随着偏压及其衬底电阻率的数值不同而不同

2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收。中芯国际中芯国际昨日披露了2019年第四季度财报。在财报中，中芯国际联合首席执行官，赵海军和梁孟松披露，第一代Fi 2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收

MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，得到了越来越普遍的应用。 场效应管的品种很多，主要分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两大类，又都有N沟道和P沟道之分。 绝缘栅场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为MOS场效应管，分为耗尽型MOS管和增强型MOS管

数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色，大多数为三只引脚，少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通，一般为发射极E或源极S)。也有双三极管封装、双MOS管封装形式。需要说明的是，晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似，在电路板上很难区分，只有借助于原理图和印制板图识别，判断时应注意区分，以免误判

这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。 一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件

表面污染一直是纳米科技中非常关注的问题，会影响到一切与表界面相关的性质。对于石墨烯等二维材料，可以认为它们只有表面，因此表面污染会严重影响它们的性能。近年来发展的表面清洁方法大多聚焦于转移过程引入的高聚物污染，仍然不能有效地实现大面积超洁净石墨烯薄膜的制备

12月15日，河南大学建校105周年系列学术活动之“第二届光电功能材料”学术沙龙活动在在金明校区中州国际酒店二楼第一报告厅举行。本次活动由纳米材料工程研究中心（以下简称纳米中心）主办。国家杰出青年基金获得者浙江大学陈红征教授，国家杰出青年基金获得者武汉大学李振教授，国家杰出青年基金获得者师范大学大学杨清正教授，南京大学介观化学教育部重点实验室副主任勇教授，国家优秀青年基金获得者中国科学院化学研究所国研究员，国家优秀青年基金获得者中国科学院宁波材料技术与工程研究所刘钢研究员，国家杰出青年基金获得者东华大学纤维材料改性国家重点实验室副主任刘天西教授以及樊玮博士应邀参加此次学术沙龙

我们周围的许多设备都需要电源适配器，但是电源适配器的种类是什么?如何解决电源适配器发热问题?今天，让我们来看看它! 电源适配器有两种主要类型:开关电源和线性电源。 1.开关电源是一种利用现代电子技术控制开关管导通和关断时间比并保持稳定输出电压的电源。电源适配器的开关电源一般由脉宽调制控制集成电路和场效应晶体管组成

有机半导体材料具有质轻、柔性和化学敏感等优点，基于有机半导体的电子传感器在用于探测环境分析物，尤其是气体分析物时，具有响应快速、便携易控等特点。但是有机半导体的化学敏感性具有两面性，一方面使得它易于和待分析物发生反应，能迅速的反映到有机传感器电学性能的变化；另一方面却使得它容易受到环境中其它非目标分析物的影响，如氧气和水等，都会使得有机电子器件在工作时性能衰退，影响其作为传感器的精准度。 同济大学材料学院黄佳教授和美国约翰霍普金斯大学教授Howard Katz合作，提出了利用光照补偿有机电子器件在空气中的性能衰退，使得基于该有机电子器件的气体传感器的探测噪音大大减少，同时保持了较高的探测灵敏度，相关研究成果发表于《Advanced Materials Technologies》

台积电（TSMC）宣布，推出大学FinFET项目，目的在于培养未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。台积电将与亚洲、欧洲、及北美的服务伙伴携手合作，以支持教学用途及测试芯片的研究项目。 根据该项目的内容，台积电将开放大学院校师生和学术研究人员使用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的制程设计套件（PDK），将芯片设计和学习的经验提升到16nm的FinFET技术