场效应

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管

6月4日，记者从武汉理工大学获悉，该校麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展，相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域，设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件，实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破，进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。 这项开创性成果，曾受《自然》杂志邀请发表了该刊首篇以单根纳米线电化学器件为代表的实时监测电池退化专题论文

早在2018年，中国科学院微电子研究所就以专利侵权为由，将英特尔告上了法庭！ 这起官司，双方的来头都不小，英特尔，多年来处理器市场上的霸主，而原告在国内名气更大——中科院微电子研究所，隶属于中科院。 微电子所诉称，英特尔酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利，要求英特尔停止侵权，赔偿至少2亿元人民币，并承担诉讼费用，同时申请法院下达禁令。 涉案专利主要涉及FinFET(鳍式场效应晶体管)结构制造方法，FinFET是一种晶体管设计，与普通平面晶体管相比，具有电学性能良好、可扩展性强和兼容性较高等优势，备受业界的瞩目

台积电突然对外公布了16nm FinFET技术，是不是有点意外？据悉，台积电官网宣布推出大学FinFET专案，目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。 此专案开放大学院校师生与学术研究人员使用业界最成功的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术之制程设计套件(PDK)，将其芯片设计学习经验提升至先进的16nm FinFET 技术。 按照官方的描述来看，这次开放的技术，是以台积电N16制程为主的教学用设计套件，包括教育设计案例、训练资料、以及教学影片，引领学生从传统平面式晶体管结构进入到鳍式场效应晶体管结构

场效应晶体管的三个极，源极（Source）、闸（栅）极（Gate）和汲极（Drain）[2]:41。 在闸极与源极之间施加电压能够改变源极与汲极之间的阻抗，从而控制源极和汲极之间的电流。 晶体管由半导体材料组成，至少有三个对外端点（称为极） 可以在大多数应用中代替真空管： 没有因加热阴极而产生的能量耗损，应用真空管时产生的橙光是因为加热造成，有点类似传统的灯泡

可调节输出电压（以 1.225V 为基准电压） LM5018 是一款 100V、300mA 同步降压稳压器，其集成了高侧和低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。LM5018 器件所采用的恒定导通时间 (COT) 控制方案无需环路补偿，可提供出色的瞬态响应，并且可实现超低降压比。导通时间与输入电压成反比，这使得整个输入电压范围内的频率几乎保持恒定

场效应晶体管的三个极，源极（Source）、闸（栅）极（Gate）和汲极（Drain）[2]:41。 在闸极与源极之间施加电压能够改变源极与汲极之间的阻抗，从而控制源极和汲极之间的电流。 晶体管由半导体材料组成，至少有三个对外端点（称为极） 可以在大多数应用中代替真空管： 没有因加热阴极而产生的能量耗损，应用真空管时产生的橙光是因为加热造成，有点类似传统的灯泡