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给对手泼一盘大冷水 - 有传台积电将跳过 2nm 直接研发 1.4nm，三星反超无望? 台积电曾多次表示 3nm 制程将于下半年规模投产，不过 Samsung 指将有望“超车”台积电，公布的纸面数据上优于前者，同时有消息指其 3nm 已经开始量产。 不过早前曾有传出 Samsung 3nm 出现严重良率问题，虽官方没有承认，但据以过成绩也并不是空穴来风。至于台积电 3nm 制程依旧延续 FinFET 晶体管结构，而非像对手采用更先进的 GAA 晶体管，显然是道行更深，知道目前制程节点命名的混乱，而良率的高低才是皇道，所以采用更纯熟的技术比更先进技术，更易抢得先机

在2020年，因为疫情的持续影响，导致许多行业都出现了下滑，其中包含着全球半导体行业。但奇怪的是，台积电的业绩却不降反升。 台积电业绩增长的原因在于掌握著 7nm、5nm 的先进工艺，更加受客服青睐

2019年4月24日，台北讯 – 台积电（TSMC）和ANSYS（NASDAQ: ANSS）透过全新认证和完整半导体设计解决方案，帮助共同客户满足新世代行动、网络、5G、人工智能 （AI）、云端和资料中心应用持续增长的创新需求。 这些尖端应用的进步持续推动电源与热限制环境中的效能极限。尤其在AI应用部分，包括云端与边缘运算的训练及资料推论，都需要功率更高且功能更强大的高效能处理器

日前，高通官方公布了新一代旗舰智能手机处理器骁龙 835（Snapdragon 835），新处理器采用三星 10nm FinFET 制程工艺打造，同时支持快速充电技术 Quick Charge 4.0。 官方并未透露骁龙 835 的更多细节，不过他们表示新处理器将为智能设备带来更高的性能，同时功耗也更低。骁龙 835 在性能方面比上一代提升 27%，功耗降低 40%，而芯片尺寸在 10nm 工艺基础上减少了 30%

2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收。中芯国际中芯国际昨日披露了2019年第四季度财报。在财报中，中芯国际联合首席执行官，赵海军和梁孟松披露，第一代Fi 2月14日，中芯国际昨日披露，去年第四季度，第一代FinFET 14nm贡献1%营收

集微网消息1月31日，三星电子在去年第四季度经营业绩电话会议上表示：“三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产，多数移动芯片、HPC客户都表示关注。与之前的技术FinFET工艺相比，具有性能和功耗效率，特别具有设计灵活性的优点。” 此前三星宣布第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产

芯原的芯片设计服务范围包括规范定义、内部与第三方IP集成、验证、实现和定制服务。 芯原秉承对晶圆厂中立的原则，与全球多家晶圆厂合作，为客户提供最合适有效的解决方案。 芯原在传统的CMOS，先进的FinFET和FD-SOI等全球主流半导体工艺节点上都具有优秀的设计能力

值此新春佳节来临之际，我谨代表华虹集团，向一年来辛勤耕耘、无悔付出的全体华虹人致以新春最美好的祝福！向一直以来真切关心、鼎力支持华虹发展的各级领导和业界朋友致以最衷心的感谢！向此时此刻仍坚守在生产经营一线的员工们，致以最诚挚的慰问! 回首过去的2019年，这一年，世界经济形势变幻起伏、贸易摩擦加剧，全球工业界的跨国、跨区域合作在曲折中前行。同时，新一轮科技革命和产业变革呼之欲出。对于全球集成电路产业界，机遇和挑战并存

近日，联发科官方宣布，将于11月26日在深圳召开MediaTek 5G方案发布暨全球合作伙伴大会。 据国内多方媒体报道，预计联发科将在本次大会上推出全新SoC MT6855，采用了台积电7nm FinFET工艺制程，集成了5G基带，商用时间也会进一步确认。 据悉，MT6885的CPU和GPU均用上了最新的ARM公版架构，分别是Cortex A77 Mali-G77 GPU，单芯片整合M70 5G基带，支持Sub 6GHz 5G频段（NSA SA），下行速度达到了4.7Gbps，上行速度达到了2.5Gbps，向下兼容4G、3G、2G网络

台积电突然对外公布了16nm FinFET技术，是不是有点意外？据悉，台积电官网宣布推出大学FinFET专案，目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。 此专案开放大学院校师生与学术研究人员使用业界最成功的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术之制程设计套件(PDK)，将其芯片设计学习经验提升至先进的16nm FinFET 技术。 按照官方的描述来看，这次开放的技术，是以台积电N16制程为主的教学用设计套件，包括教育设计案例、训练资料、以及教学影片，引领学生从传统平面式晶体管结构进入到鳍式场效应晶体管结构