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近日，国家存储器基地项目二期在湖北省武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞

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4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。 在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况

4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。 在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况

据外媒报导，受美国政府扩大对中国芯片禁令影响，美国半导体设备供应商应用材料（Applied Materials）透露，中企正在降低技术门槛，以符合美方规定。传出中国芯片制造商中芯国际（SMIC）将采用17奈米制程，另外，长江存储则因为128层以上的3D NAND设备遭截断，可能减少3D NAND的层数。 根据硬件网站《Tom's Hardware》报导，应用材料财务长希尔（Brice Hill）表示，目前正试图向客户说明，如果确定技术符合美国指导方针，公司就能申请许可或获得授权，预计一些客户可能会改变或调整制程，降低技术门槛

相比传统机械硬盘来说，固态硬盘体积更小巧、读写速度更快，其产品的稳定性、兼容性、可靠性得到了广大消费者的认可，可以满足多种应用场景的使用需求。那么一线固态硬盘品牌有哪些? 固态硬盘中，主控是十分重要的，相当于SSD控制器，搭配知名品牌的主控，能够带来更加稳定的性能发挥。根据这个我们来分享一下网友罗列的一线固态硬盘品牌： 如果你正在众多品牌的固态硬盘纠结时，我建议你看看三星，三星存储一直都是行业速度和稳定的标杆

各大厂商争相量产3D NAND 三星计划在今年提升64层3D NAND产品的比重，并计划在年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。 三星的这一系列举动也许将彻底使NAND Flash高层堆叠市场战争爆发，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度简直无法想象。 美光推进64层3D NAND进程非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND

点序推出SD卡控制芯片AS2705EN：支持3D QLC，传输速度超过160MB/S 2019年底，点序科技推出高效能AS2705EN SD6.1控制芯片，据悉，AS2705EN SD控制芯片搭载新一代的错误修正引擎(AECC)，搭配动态全区平均损耗算法技术(Dynamic wear leveling)，同时支持更大区块管理与更高卡片容量（512GB以上），且支持3D QLC NAND，并通过优化的4KB小档案管理，其随机读写性能可达到A2 Class等级的4000/2000 IOPS 以上水平，同时还支持低电压讯号(LVS)、功能命令队列(Command Queue) 等功能，从而提供高效能、高可靠性及长寿命的SD6.1控制芯片解决方案。

by Dayking KIOXIA 铠侠 (前身为 TOSHIBA) 宣布投入研发 HLC NAND Flash 颗粒，相比目前的 QLC NAND Flash 颗粒，其存储密度将提升 50%，同时堆叠层数也会提升至 600~1000 层，虽然预估量产后 PE 寿命将不到 100 次，但由于存储容量会相当大，这意味着使用一段时间后才会写满一次 SSD。 随着 NAND Flash 的演进，现在 SLC、MLC 颗粒已基本上消失在家用 SSD 产品中，目前是由 TLC 与 QLC 为主流，并且开始向着 PLC 前进，所谓的 PLC 就是每 Cell 存储 5 bits，要储存更多的资料就需要更多的电压层级。 虽然技术难度非常高，但 HLC 的存储密度比 QLC 要高出 50%，对于厂商们来说是非常吸引，不仅每 GB 成本会进一步下降，同时而意味储存容量会大幅提升

4年前的2016年，国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期，不仅量产了64层闪存，今年初还研发成功128层QLC闪存。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动，整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。 在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况