开关损耗

为了更方便地使用 ROHM 网站，请更新您的浏览器。 面向移动设备，ROHM备有0.9V低驱动电压MOSFET、开发了内置电阻的数字晶体管，将MOSFET、双极型晶体管、数字晶体管、二极管组合而成的复合晶体管等有优势的产品群。 ROHM的二极管通过利用ROHM特有的元器件技术，提供超小型、高可靠性、低损耗的丰富的产品群

你的浏览器版本过低，可能导致网站不能正常访问！ 为了你能正常使用网站功能，请使用这些浏览器。 在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势

TTL集成电路肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式

"基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率；DFN超薄外形封装，可应用于小体积PD快速充电器。 " 反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源，mos导通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流，相反，当mos关断时，输出变压器释放能量，磁能转化为电能，输出回路有电流。反激电路元器件少，电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路