semiconductor

说明：德州仪器 (TI) 是全球领先的数字信号处理与模拟技术半导体供应商。自1982年以来，TI成为数字信号处理（DSP）解决方案全球的领导厂商及先驱，为全球超过30000个客户提供创新的DSP和混合信号/模拟技术，应用领域涵盖无线通讯、宽带、网络家电、数字马达控制与消费类市场。 说明：National Semiconductor Corporation美国国家半导体公司世界老牌半导体厂商之一

4月28日，烟台智路晟邦股权投资(基金)管理中心(有限合伙)在山东自贸试验区烟台片区注册，设立基金成为山东省第二支、烟台市首支QFLP境外募资出资的基金。 该基金总规模约3400万美元，主要投资SMART产业，即：Semiconductor(半导体)、Mobile(移动通讯)、Automotive(汽车电子)、Robotics(机器人与智能制造)、IoT物联网(万物互联)等拥有核心技术且高速发展的相关新兴科技企业，打造高科技领域业集群，推动产业链优化升级。 烟台智路晟邦股权投资(基金)中心(有限合伙)基金管理人为北京智路资产管理有限公司

安森美半导体致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、 安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 成立于1999年，总部位于亚利桑纳州的凤凰城，从事设计、制造及销售半导体零件，用于电子系统及产品

2020年9月7日 - 安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation 美国纳斯达克上市代号：ON）宣布，公司总裁兼首席执行官 Keith D. Jackson（杰克信) 打算于2021年5月从安森美半导体退休。为确保有序过渡，Jackson 先生在退休前将继续担任现有职务，并将协助董事会寻找其继任人。此外，Jackson 先生也将因退休后不再出任总裁兼首席执行官而退任董事会成员，目前预计不会在公司2021年年度股东大会上参选连任

飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)是全球领先的半导体公司，全球总部位于美国德州的奥斯汀市。专注于嵌入式处理解决方案。飞思卡尔面向汽车、网络、工业和消费电子市场，提供的技术包括微处理器、微控制器、传感器、模拟集成电路和连接

[导读]美国知名会计事务所普华永道(PwC)在近日发布的最新研究报告中表示，2012年期间，云计算(Cloud Computing)和社交网络等新兴业务将在很大程度上推动美国科技产业的兼并重组步伐。 北京时间3月29日消息，美国知名会计事务所普华永道(PwC)在近日发布的最新研究报告中表示，2012年期间，云计算(Cloud Computing)和社交网络等新兴业务将在很大程度上推动美国科技产业的兼并重组步伐。 普华永道的统计数据显示，2011年美国科技产业的兼并重组涉资总额达1250亿美元，高于2010年的1070亿美元

安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）致力于推动高效能电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体是基于半导体的解决方案之领导供应商，提供全面性的高效能电源管理、类比、感测器、逻辑、时序、连线、离散元件、系统单芯片（SoC）及客制化元件。安森美半导体的产品帮助工程师解决在汽车、通讯、运算、消费性电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战

周三收盘，道琼斯工业指数上涨83.48点，或0.3%，报28331.92点;标普500指数上涨35.11点，或1%，报3478.73点。 纳斯达克综合指数(纳指)上涨198.59点，或1.73%，报11665.06点。纳指盘中最高达11672.05点

6月9日，中国南京——2021年6月9日-11日，“2021世界半导体大会（World Semiconductor Conference 2021）”在南京举办。紫晶存储携旗下光存储产品亮相大会，并凭借完全自主可控的全产业链核心技术和行业领先的创新产品获得与会者的高度关注。 2021年，全球特别是中国的半导体产业迎来了一个繁荣发展期

尊敬的读者、作者、审稿人 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究 在商用0.35 m互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor 简记为NMOS) 晶体管 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管 通过环栅或半环栅的加固方式 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 摘要: 在商用0.35 m互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor 简记为NMOS) 晶体管 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管 通过环栅或半环栅的加固方式 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因.